目录
- 电流采样方式
- 低侧电流采样
- 高侧电流采样
- 高侧电流电路设计
- 示例
- TI：40V~400V非隔离型的高端电流检测方案
- ADI：高端电流采样电路
- 隔离运放
- 隔离SPI/IIC
- MOSFET和齐纳管
电流采样方式
对于负载电流采样有3种方式：高侧电流采样、负载侧电流采样、低侧电流采样。
低侧电流采样
高侧电流采样
高侧电流电路设计
示例1
下图是一个标准的差分比例放大电路，增益为115倍，由于要考虑充电和放电的双向电流检测，所以增加偏置电压为1.5V。然而这个电路图确是错误的。
共模输入电压超范围；因为运放供电为LDO输出的3V供电，由于电路为高端采样，共模电压高，上图的电路并不能承受锂电池的3V以上的高共模电压。例如当电池电压为4.2V时，大概运放的共模输入电压为4.17V。
通过数据手册得知，DIO2361的共模输入范围为-0.1V~VCC+0.1V，即在上图中3V供电下，共模电压输入范围为-0.1V~3.1V。由此可以看出，上图中运放的3V供电是很不妥当的。
电路修改建议：
1.将运放供电换为锂电池供电。这样运放的共模输入范围就够了。
2.更换为高共模电压高增益的集成芯片，例如INA199（支持双向电流检测），其能承受最高26V的共模电压，且内部集成了电阻，对误差的控制更为友好。其增益有三个版本，分别是50倍，100倍和200倍。
INA199可以用润石的RS199替换。
TI的一个40V~400V非隔离型的高端电流检测方案
巧妙的利用了稳压二极管改变了运算放大器的共模输入电压范围。主要使用了一个OPA333，一个高压PMOS，还有一个INA226。
ADI的高端电流采样电路
和上面处理方法很是相似（均是采用浮地的方式，抬高了运放的共模输入范围）
隔离运放
AMC1200
隔离SPI/IIC
MOSFET和齐纳管
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