下面我们通过举例介绍一个晶振的规格书参数，来和大家分享下怎么选型一个合适的晶振，以及涉及到的部分计算内容。下面是某个晶振的参数规格书。

Load Capacitance(负载电容）：负载电容Cl=((CL1*CL2)/(CL1+CL2))+Cs(PCB寄生电容）。CL1和 CL2，是我们PCB上实际加的两个pf级别电容负载。 由前面的描述我们知道晶振起振条件为：闭环增益应大于1，并且总相移为360°。并且反相器提供了一个180°的相移，那么另外的180°相移从哪里来呢？CL1&CL2和动态电感生成反馈所需要的另一个180°的相移。一般Cs(PCB寄生电容）的值为3-5pf。

增益裕量：是指输出端电流和输入电压的比值。Gm(pcb）=4*ESR(晶振等效电阻，晶振规格书可以得到）*（2Πf)²*(C0(晶振寄生电容）+CL(寄生电容））。Gm(MCU晶振部分跨导，MCU规格书得到）.Gm/Gm(pcb）为增益裕量>5。增益裕量≥5是保证起振的必要条件。前面说的一些高低温晶振失效从深层原因来看很多都是ESR发生变化，不能满足增益裕量≥这个条件，增益裕量可以给我们解决晶振失效问题提供一个思路。

Dl(驱动level):描述的是晶振的功耗。功耗要在某一范围内，否则晶振可能会过驱动。过大的电流会使晶体振幅加大，温度升高，频率偏移，长期工作在过驱动情况下会对晶体本身造成损害。Dl=i²*ESR.i为晶振电流的有效值，这个值可以通过示波器测试出来。如果 Dl< DL晶振，就没必要使用外部电阻。这个单位一般是mw级别的

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