MOS管在LDO中的作用是作为调整元件，通过改变其导通电阻来维持输出电压的稳定。当输出电压变化时，反馈网络将信号传给误差放大器，误差放大器比较基准电压后调整MOS管的栅极电压，从而改变其导通程度，调整压降，使输出电压稳定。

LDO中使用PMOS作为开关管的话，更容易驱动，因为栅极电压只需要低于源极电压（输入电压）一定的值就可以导通，误差放大器可能直接输出到栅极来控制。而如果用NMOS的话，误差放大器可能需要输出比输出电压更高的电压，这就需要电荷泵或者自举电路，增加了复杂性。不过NMOS的导通电阻低，适合大电流应用，但可能LDO的压差会更低。

下面具体分析使用PMOS的LDO中电压变化时，内部各个器件的变化情况。当Vout电压下降时，串联反馈电阻中间的Vfb电压随之也下降，当Vfb电压下降时，误差放大器会输出Vg电压下降，Vin(Vs)电压不变，因此PMOS的Vgs减小（注意PMOS的Vgs是负值）。输出电流Ids会增加,Vout上升(如图2）。完成反馈调节， Vout又回到正常电位（如图1）。通过提升输入电压，可以使 VGS 值负向增大，能达到的 RDS 值越低。因此，PMOS 架构在较高的输出电压下具有较低的压降。这一部分关于MOS管的内容我们后面会仔细介绍下MOS管datasheet中各个曲线的含义。

图1：PMOS的LDO变化过程

图2：PMOS的Vgs&Vds&Id特性曲线

同理我们分析使用NMOS的LDO中电压变化时，内部各个器件的变化情况。当Vout电压下降时，串联反馈电阻中间的Vfb电压随之也下降，当Vfb电压下降时，误差放大器会输出Vg电压上升（此过程可能会使用电荷泵电路），Vout(Vs)电压减小，因此NMOS的Vgs增大（注意NMOS的Vgs是正值）。输出电流Ids会增加，Vout增加（如图4）。完成反馈调节， Vout又回到正常电位（如图3）。电压轨用作误差放大器的正电源轨，并支持电荷泵将提升 VIN，以便误差放大器在缺少外部 VBIAS电压轨的情况下仍可以生成更大的 VGS值，从而在低输出电压下达到超低压降。

图3：NMOS的LDO变化过程

图4：NMOS的Vgs&Vds&Id特性曲线