沟道与寄生二极管方向判别箭头指向G极的是N沟道，箭头背向G极的是P沟道。
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。N沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
MOS管的主要作用开关作用：即可以实现信号切换（高低电平切换），也可以实现电压通断。用作开关时MOS管中的寄生二极管方向是关键。导通条件不论N沟道还是P沟道MOS管，G极电压都是与S极做比较。N沟道：UG>US时导通，（简单认为）UG=US时截止。P沟道：UG
隔离作用：这时候MOS管起作用的只有二极管这一小部分，其本质也就是实现电路的单向导通，它就相当于一个二极管，但在电路中我们常用隔离MOS管，是因为使用二极管，导通时会有压降，会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。
如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了；如果MOS管用作隔离时，（不论N沟道还是P沟道），寄生二极管的方向一定是和主板要实现的单向导通方向一致。在一些电池保护电路中，常有两个MOS管共漏极使用的情况，因为在这些保护电路中，既要进行过充检测也要进行过放检测。
打开该类MOS的规格书我们会看到许多如下参数：
那么如何测试这些参数呢，下面请看测试手法！注意：下文中加粗字体为变量，需根据MOS规格书来确定实际参数。VSSS耐压按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS1的电压。
按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS2从0V以0.1V步增，瞬间增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS2的电压。
ISSS电流按下图连接测试电路，设置VSS=12V，VGS=0V，记录下ISSS。
VGS(th)开启电压按下图连接测试电路，设置VSS=6V，以0.1V同步增加VGS1的电压，直至ISS=1mA，记录下此时VGS1的电压，同理测试另一FET的VGS2。
IGSS栅极漏电流按下图连接测试电路，设置VSS=0V，VGS1=±8V，记录下IGSS1，同理测试另一FET的IGSS2。
RSS(on)内阻按下图连接测试电路，设置IS=6A，分别测试VGS等于4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V时，S1与S2两端的电压VS1S2，RSS（on）=VS1S2/6A。
VFSS二极管导通电压按下图连接测试电路，设置VGS2=4.5V，VGS1=0V，VS1S2=4.5V，IS1S2=6A，记录下测试的VFSS1。同理，设置VGS1=4.5V，VGS2=0V，VS2S1=4.5V，IS2S1=6A，记录下测试的VFSS2。
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