开关电路原则
a. BJT三极管只要发射极e 对电源短路 就是电子开关用法
N管 发射极E 对电源负极短路. (搭铁) 低边开关 ;b-e 正向电流 饱和导通
P管 发射极E 对电源正极短路.高边开关 ;b-e 反向电流 饱和导通
b. FET场效应管MOSFET 只要源极S 对电源短路 就是电子开关用法
N管 源极S 对电源负极短路. (搭铁) 低边开关;栅-源 正向电压 导通
P管 源极S 对电源正极短路. 高边开关 ;栅-源 反向电压 导通
总结:
低边开关用 NPN 管
高边开关用 PNP 管
三极管 b-e 必须有大于 C-E 饱和导通的电流
场效应管理论上栅-源有大于 漏-源导通条件的电压就好
假如原来用 NPN 三极管作 ECU 氧传感器 加热电源控制低边开关
则直接用 N-Channel 场效应管代换 ;或看情况修改 下拉或上拉电阻
基极–栅极
集电极–漏极
发射极–源极
上面是在一个论坛上摘抄的,语言通俗,很实用,
2.用PMOSFET构成的电源自动切换开关在需要电池供电的便携式设备中，有的电池充电是在系统充电，即充电时电池不用拔下来。另外为了节省功耗，需要在插入墙上适配器电源时，系统自动切换为适配器供电，断开电池与负载的连接；如果拔掉适配器电源，系统自动切换为电池供电。本电路用一个PMOSFET构成这种自动切换开关。
图中的V_BATT表示电池电压，VIN_AC表示适配器电压。当插入适配器电源时，VIN_AC电压高于电池电压（否则适配器电源就不能对电池充电），Vgs>0,MOSFET截止，系统由适配器供电。拔去适配器电源，则栅极电压为零，而与MOSFET封装在一体的施特基二极管使源极电压近似为电池电压，导致Vgs小于Vgsth，MOSFET导通，从而系统由电池供电。
开关电路图.
总结以上知识,在选MOSFET开关时,首先选MOS管的VDS电压,和其VGS开启电压,再就是ID电流值是否满足系统需要,然后再考虑封装了,功耗了,价格了之类次要一些的因素了,以上是用P沟道MOS管做的例子,N沟道的其实也是基本上一样用的
3、MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin， 但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10— 100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。
场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。
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