BV-D112ZB 是一种单向单线瞬变抑制二极管、旨在保护电源线免受 EOS 和 ESD 瞬变的影响。该设备非常适合需要高功率过压和线路板空间节省的应用。
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•低钳位电压
•Peakpulse power ： 4420 W (8/20 μs )
•IEC 61000-4-5（雷电）170A（8 /20μS）
•关断电压 12 V
•单向二极管
•低漏电流： 25 °C 时为 1.5 μA
•符合 IEC 61000-4-2  4 级：±30 kV（空气放电），±30 kV（接触放电）
BV-D112ZB、BV-D112ZCB
规格
  
   
类型
   
瞬态抑制二极管
单向通道
1
电压    - 反向关态（典型值）
12V
电压    - 击穿（下限）
13.3V
电压    - 箝位@ Ipp
26V
电流    - 峰值脉冲（10/1000µs）
170A（8/20µs）
功率    - 峰值脉冲
4420W（4.42kW）
电源线路保护
无
应用
通用
不同频率时的电容
1500pF
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOD123F
  
►典型应用：
电池小体积大通流低残压防护方案.png
深圳浪拓电子提供一系列瞬态电压抑制二极管，包含静电保护二极管及功率保护二极管，完整保护客户线路避免雷击/EFT/突波/静电所造成损坏。