MOS管应用防倒灌电路,防反接电路设计

典型电路1、电路1

说明：GND-IN 为电源接口的负极GND 为内部电路的公共地原理分析正向接：VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成；沟道电阻很小，将MOS体二极管短路。反向接：MOS体二极管截至

2、电路2说明：GND-A-24V 为电源接口的负极GND-A 为内部电路的公共地

原理分析正向接：VCC-IN通过R1、R2 ，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成，GND-A-24V便接在了GND-A上。反向接：虽然 MOS体二极管这时正向接，但是由于GND-A上端接的是我们的电路，电路的上端是VCC-A-24V-IN，所以还是无法通过；事实上GND-A-24V根本接不进我们的电路以形成回路。

二、优缺点1、优点由于正向接导通时，MOS管Ron很小，压降非常小，基本保证了GND和GND-IN等电位。而串联二极管会有一定的压降。2、缺点
电路复杂，价格也高。

如下电路图所示，此种应用，由PMOS来进行电压的选择，当VIO9V电压存在时，此时电压全部由VIO9V提供，将PMOS关闭，VBAT4.2V不提供电压给VBAT_OUT。而当VIO9V为低时，VBAT_OUT由VBAT4.2V供电。注意R120的接地，该电阻能将栅极电压稳定地拉低，确保PMOS的正常开启。D1和D2的作用在于防止电压的倒灌，D2可以省略。这里要注意到实际上该电路的DS接反，这样由体二极管导通导致了开关管的功能不能达到，实际应用要注意。

下图这个电路，控制信号G_CTRL控制VB4.2+是否给VCC_OUT供电。此电路中，源漏两端没有接反，R2与R3存在的意义在于R2控制栅极电流不至于过大，R3控制栅极的常态，将R3上拉为高，截止PMOS。同时也可以看作是对控制信号的上拉，当MCU内部管脚并没有上拉时，即输出为开漏时，并不能驱动PMOS关闭，此时，就需要外部电压给予的上拉，所以电阻R3起到了两个作用。R2可以更小，到100欧姆也可。