体二极管的技术参数VSD、Is、trr、Qrr、ISM、IRRM
早期的常常会由于漏-源极的电流或者电压的变化速率太快而失控，或者形成漏-源极的击穿损坏。而在大功率的高速开关电路中，纯阻性负载是很少见的，即便外部负载是纯阻性的，电路的散布参数、VMOS本身的散布参数在VMOS高速开关期间，也会有时间很短但是速度很快的电压/电流变化现象。形成MOSFET易损的缘由是内部寄生的NPN晶体管在作祟。以双扩散厂艺为代表的MOSFET消费工艺，缩短了N+源区，同时增加了P+基区，寄生的NPN晶体管被根本上抑止掉了，转而为一个PN结所替代，这就是寄生二极管（体二极管）。
源极连续电流，漏极与源极间的体二极管的最大正向连续电流，也写作IDR，意义是（漏极连续反向电流）。手册普通给出的是最大值，这个参数表征的是在VMOS关断、体二 极管开通时能接受的最大电流，电流方向与漏极电流相反，以不超越管芯的结温为限。假如仅仅表示体二极管的正向续流电流而不是最大值时，普通用IF表示；不过，在一些老产品的技术手册中，IF也表示续流电流的最大值。
目前依据二极管的反向恢复时间对功率二极管的分类，普通二极管的trr>500ns:trr在300一500ns之间为快速二极管；trr在100～300ns为快恢复二极管；trr在50-100ns为超快恢复二极管；trr<10ns为肖特基二极管，如今有一些超快恢复二极管的trr在20一50ns之间。小功率开关二极管的trr般也小于20ns。
（体二极管）反向恢复电荷。这个参数表征的是体二极管的结电容在止向开通期间所存储的电荷，相当于体二极管的结电容所存储的能量。
一些产品的技术手册还会给出体二极管的反向恢复时间的降落时间(ta)、上升时间(tb)，普通而言，ta>tb。
技术手册在给出体二极管的技术参数时，测试条件中会有图3。21中的di/dt参数，在给出的曲线图中，有时会采用dif/dt，由于反向恢复电流的—卜升速率更快，因而更有代表性。二者对Irr、trr、Qrr均有明显影响，对IRRM、Qrr影响是正向的，对trr的影响则是反向的。图3. 22是IRF3207的技术手册中给出的波形图，VR表示体二极管两端的最人反向恢复电压。
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