摘要：

阐述硅外延片在电阻率和厚度一致性的问题，改善其一致性外延片的制备方法，包括装入衬底片、衬底气相抛光、变流量吹扫、本征生长、外延生长的工艺流程和工艺参数。

0 引言

硅外延的相关工艺通常应用于器件研制，其于器件研制工作中具有重要作用，由于其外延片质量能够直接影响器件性能，因此需要对其电阻率一致性以及厚度的一致性进行研究，确保其满足器件制作的相关需求。

1 改善硅外延片电阻率一致性

硅外 片 作 为 半 导 体 材 料 中 不 可 或 缺 的 一 部分，其较为重要的指标之一为硅外延片电阻率。不同的器物对外延层电参数有不一样的要求。但因为自掺杂现象的存在，导致电阻率统一性的控制难度非常大。在控制电阻率方面，提出了许多应用方法，例如添加少量氯化氢和二次生长，不过，这些方法没有达到理想的效果，甚至在某些程度上，工艺时长的增加，工艺效率的下降。为了达到电阻率上的一致性要求，121必须从源头开始处理。形成自掺杂的基本原因：因为硅外延在成长的时候，衬底加热，导致衬底里面扩散到了外面，又由外面蒸发来到气相中来。它们大部分在停滞层内存储，而且沿着气流趋向扩散。然后继续外延生长时又重新加入外延层中。开始外延生长后，抑制衬底前面蒸发，自掺杂大部分来自衬底后面蒸发的杂质。除了上述的原因外，生长系统、基座的污染也同样会导致自掺杂现象发生[1]。

2 改善硅外延片厚度一致性

众所周知，互联网处于高速发展进程之中，全球信息化的步伐越来越快，互联网行业在飞速进展中推动了整个电子信息产业进步，在其情况下半导体相关材料的品质受到广泛关注，硅外片作为半导体材料中不可或缺的一部分，其较为重要的指标之一为硅外延层厚度。硅外延生长的相关工艺中，能够对外延厚度产生影响的因素较多。外延层的边缘产生翘突导致硅片整体厚度不一，即便位于相同炉内，其基座位置不同，外延片生长的厚度依旧具有一 定 差 别 。当 外 延 片 在 厚 层 生 长 时 表 现 更 加 突出。在制作硅平面晶体管时，外延厚层需要格外注重一致性，制作集成电路时也是如此。一旦外延厚层缺乏一致性或一致性不强，则其后续工艺将会遭受较大影响，严重时甚至无法继续进行工艺制作。外延片的厚度不具备较好一致性的情况下，隔离区的扩散工作难度将会大大加重，情况严重时不但隔离区的工作将会受到影响，后续工作无法完成，还会导致器件报废。即便将厚度不一的外延层勉强扩通， 生 产 出 的 器 件 质 量 难 以 得 到 保 证 ， 其 性 能 必将受到影响，非常容易出现电性能不符合要求的情况，无法满足设计要求，造成成本的大量浪费。而与此同时较薄的部分则很有可能由于集电区过薄被电击穿。硅片的边缘出现外层凸起状况时，大概率会引发光线模糊，进而导致图形变形问题，翘边较为严重的硅片还能够造成光刻板划伤，导致光刻板彻底报废，因此必须要对外延厚度上的一致性情况进行重点关注。在影响外延片厚度的诸多因素中有三种主要因素造成的影响较大：（1）温度；（2）气流；（3）反应室集合形状。选择并对温度进行控制时，必须优先选择不会对生长速度造成较大影响的温度。

在控制气流因素时可以对反应器基座实际的倾斜角进行调节以达到限制气流速度的目的。反应器的类型有三种，分别为水平类型的反应器、桶式类型的反应器以及钟罩式类型的反应器。通过控制两反应器之间的夹角能够对硅外延的厚度进行有效控制。当上述方法都无法取得厚度一致性地较好成果时，可以采取以下三种方法进一步改善一致性。（1）将卧式反应器安装于硅片装载器，将其改善为硅片实施外延生长处理。该方法能够平稳气流，其外界条件对于外延生长而言较好，有较大概率产生厚度一致地外延。（2）在反应器中安装可以旋转的基座，此操作能够帮助硅外延在其转动期间进行生长，可以改善外片厚度的一致性。（3）由于以上两种方法都需要安装相应器件，其复杂程度较高，因此可以选择较为方便的方法例如将基座的倾斜度改变、改善其温度分布以及调整线圈密度。此类方法虽然简便但其具有副作用，很有可能造成气流发生流动变化的问题

3 制备改善硅外延片电阻率与厚度一致性的方法

当前，硅外延材料制备的主要方法是化学气相外延方法（CVD），即使用氢气、三氯氢硅、等气态化学成分在高压高温环境下进行化学反应，在硅单晶上反应形成拥有一定厚度和电阻率的硅单晶薄层材料。在这个化学反应过程中气体流速和腔体温度的控制是当中的两个至关重要的因素。流入腔体中的气体成分因为与腔体之间拥有温度差别，一定会作用腔体内的各处温度的均匀性，而且，流入腔体的气体成分同样也会影响腔腔体内的所有气体流速，一定会形成流场均匀性的差异。而腔体内流场与温场的均匀性关系着腔体内所有部位的发生反应强度，从而决定最终产品参数的稳定性和一致性。常规的制备外延片的工艺中，发生反应的气体入射方式通常使用把简式外延炉设计为平行顶盘，其发生反应的气体只能在0º入射。经试验和分析得出，这种入射气体方式会改变外延片数值一致性甚至降低半导体器件的成品率，因此，提升外延片数值一致性是符合现在半导体器件生产工业化必将迎来的发展趋势[2]。改善外延片电阻率以及厚度的一致性制备方法步骤如下：（1）将其装入衬底片并升入腔体。按照顺序吹扫氮气、氢气，使接下来的步骤都能够在氢气的主环境中发生反应，实现腔体升温，温度需要稳定在1 100～1 200℃范围内。（2）进行衬底气相抛光。对衬底运用HCL实施表面抛光，整体抛光温度控制在1 100～1 200℃之间，控制H2流量范围280～320L/min，其中HCl的实际流量应当为1～3L/min，整体抛光的时间必须控制在4～5min之间。（3）变流量吹扫。进行该操作时其腔体温度应当低于1 100℃～1 200℃，通过改变H2的流量的方法将衬底表层含有的杂质逐渐稀释，通常H2的流量需要从280～400L/min一直下降到50～100L/min，整个降流量的时间为l～4min，并且需要维持1～3min的低流量时间，时间到后再将H2的流量从50～100L/min逐渐上升到280～400L/mi n ， 上 升 流 量 的 总 时 间 需 要 控 制 在 1 ～ 4 m i n 之内，并维持1～3min的高流量时间。（4）本征生长。该操作于衬底表面实施，过程中H2的流量应当在280～320L/min范围内，TCS的流量需要控制于20～60Gr/min之间，进行本征生长的合适温度为1 100℃～1 200℃，时间为3～5min之间。（5）外延生长。该操作在常压条件下进行，其温度应当控制于1 100～1 200℃之间，其整体时间范围是15～25min，H2的流量应当控制于280～320L/min，同时将TCS的流量控制在20～60Gr/min之间，pH掺杂流量需要符合20～60sccm要求，再依照外延片实际厚度，将筒式外延炉锥形顶盘的入射角度进一步确定，确保反应气体入射角度在0ºº之中，便于气体在外延炉腔体内分布均匀，在完成外延生长的操作后需要对设备进行炉腔降温后取片，最终获得硅外延片。

4 结语

硅外延片的电阻率与厚度都需要具备一致性，为了信息技术获得更好的搭载器件，必须要保证硅外延片的电阻率具有一致性，其厚度同理。将来必将出现更多改善一致性的制备方法，实现硅器件的创新。