什么是DDR?DDR的分类有哪些?
芒果硬件设计 2023-05-31

存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类,前者在掉电后会失去记忆的数据,后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM)。而ROM则是非易失性存储器, ROM可分为EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)、flash memory等。

RAM: 即Random Access Memory随机存储内存。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。SRAM静态存储器(Static Random Access Memory,SRAM)利用双稳态触发器来保存信息的,DRAM动态存储器(Dynamic Random Access Memory)利用MOS电容存储电荷来储存信息,因此必须通过不停的给电容充电来维持信息,所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。我们常说手机的运行内存指的就是DDR-DRAM.

SRAM: SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级cache,二级cache。 SRAM利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。

DDR SDRAM; (Double Data Rate synchronous dynamic random-access memory):双倍速率同步动态随机存储器,DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息,一旦掉电信息会全部的丢失,由于栅极会漏电,所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷,并且每读出一次数据之后也需要补充电荷,这个就叫动态刷新,所以称其为动态随机存储器。现在使用较多的是DDR3,DDR4,LPDDR4,DDR5,LPDDR5等。

ROM: (Read-Only Memory)即只读内存,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。

EEPROM:最典型的电可改写非挥发性存储器,它具有电可编程、可擦/写、使用灵活等优点。Flash memory和EEPROM都是电可擦写可编程的存储器,EEPROM在很多STM32单片机中得到使用,一般是128KB,16KB这种容量比较小,一般用来保存用户数据(在运行中可改变的数据)

FLASH(NAND FLASH ,NOR FLASH) : 它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势), 用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘).

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。一般小容量的用NOR Flash(常见为16M,64M,128M等等),因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息。而大容量的用NAND FLASH(常见为4Gb,8Gb等等)常用来存放数据。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

NOR FLASH&NAND FLASH: NOR flash占据了容量小的闪存市场,而NAND flash只是用在Gb等大容量产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储。

以下是NOR/NAND FLASH的区别:

对于用户来说,EEPROM和FLASH 的最主要的区别如下:

总的来说,对与用户来说,EEPROM和FLASH没有大的区别,只是EEPROM是低端产品,容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH要好一些,但FLASH设计工艺以及在原理使用上教复杂。

EMMC: (Embedded Multi Media Card)即嵌入式多媒体卡。EMMC相当于NAND FLASH+FLASH CONTROLLER.EMMC容量8Gb,16Gb比较多,容量比较大,在嵌入式硬件设计和现在的手机中使用较多。和我们日常生产生活中使用的TF/SD卡比较类似。

一个典型的系统配置是:采用ddr3的内存,配置若干容量的nor flash用于存储bootloader,一定容量的nand flash用于存储内核、文件系统等大容量数据。具体容量和使用场合、成本控制相关,若不记成本全用nor flash做存储也没关系。



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