问题描述：
产品电池采样电路样机概率有40uA额外的漏电流，五台样机有一台出现这种异常现象。问题定位到PMOS上，更换PMOS有用。电路原理图如下：
原理图分析：当ADC_EN为高电平时，NMOS管Q20导通，PMOS管Q19导通，ADC1采集得到VIN的电压（ADC1≈VCC*4.7K/104.7K）。当ADC_EN为低电平时，NMOS和PMOS均为关断状态，此时在R66和R67上不会有漏电流（低功耗必备电路）。
从原理图分析是没什么问题，但是实际异常就是在Q19截止的时候，仍然会有40uA的漏电流。原因分析：后经过仔细与群友核对VIN电压后，发现VIN对应的电池电压，电池是12V的电池，即电池充满电后的电压会更高（大于12V）。而这个原理图是从4.2V的锂电池采集电路里拷贝过来的。。。当NMOS导通后，PMOS两端的VGS电压几乎等同为VIN（大于12V），而采用的PMOS为AO3401，其VGS耐压绝对最大值也就是±12V。加上之前描述更换PMOS后问题会得到解决，所以怀疑是PMOS的VGS过压导致PMOS内伤，可能就产生了额外的漏电流。
解决方案：
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电阻分压后控制PMOS，更改后电路图大致如下：
- 更换VGS耐压更高的PMOS，例如AO3407。
3. 提桶跑路。
总结：要额外注意MOS管的VGS耐压和VDS耐压，不要随心所欲。
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