导 读
HMC混合内存立方体，HBM高带宽内存，都曾以取代DDRx为己任，两者名称接近，结构类似，并且都有3D TSV 加持，性能均超过同时期DDRx的数倍。
在AI大潮的驱动下，HBM如日中天，HMC却已悄然隐退，是何原因造成了如此大的差异？这篇文章就和大家一起分析其中的缘由。
DRAM Technology
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HMC
HMC (Hybrid Memory Cube) 混合内存立方体，曾被视为一项革命性的技术而寄予厚望。
HMC由美光和英特尔合作开发，最初设计的目的是为了彻底解决DDR3所面临的带宽问题。
HMC于2011年推出，对于美光来说，其意义非凡，这将是击败三星、海力士两大韩厂的独门武器。
HMC 标准中，4 个 DRAM Die通过3D TSV连接到堆栈底层的逻辑控制芯片Logic Die，其示意图如下所示：
TSV 技术诞生于1999年，最早在内存行业实现商用，是先进封装领域中最为重要的技术，没有之一。
2011年，HMC正是借着TSV技术的东风，获得该年《微处理器报告》最佳新技术奖，一时风头无两。
HMC设计中，从CPU处理器到存储器堆栈的通信是通过高速 SERDES 数据链路进行的，该链路会连接到 DRAM 堆栈底部的逻辑控制器芯片。处理器没有集成到堆栈中，从而避免了芯片尺寸不匹配和散热问题，却带来了一个新的问题，就是处理器离存储器堆栈比较远，这日后也将成为HMC的重要短板。
HMC本质上其实是一个完整的 DRAM 模块，可以安装在多芯片模块 (MCM) 或 2.5D 无源插接器上，从而更加贴近 CPU，实际上却没有人这么做。除此之外，美光还推出了一个"远存储器"的配置，在这一配置中，一部分 HMC 连接到主机，而另一部分 HMC 则通过串行连接到其他 HMC，以此来形成存储器立方体网络。在许多人担心的延迟问题上，美光表示，虽然HMC的串行链路会略微增加系统延迟，但整体的延迟反而是显著降低的，HMC 比 DDR4 提高了约 3 倍的能效（以 pj/bit 为单位）。
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HBM
HBM (High Bandwidth Memory ) 高带宽内存，将很多个DRAM芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DRAM组合阵列。
首先，HBM垂直堆叠内存芯片，4 个 DRAM Die通过3D TSV连接到堆栈底层的逻辑控制芯片Logic Die，这点和HMC是相同的。然后，这些DRAM堆栈通过Interposer中介层连接到 CPU 或 GPU。
虽然这些 HBM 堆栈没有与 CPU 或 GPU 进行3D集成，但它们通过中介层紧密而快速地连接在一起，以至于 HBM 的特性与片上集成 RAM 几乎没有区别。
HBM由和海力士和AMD共同研发，其推出时间为2013年，被HMC晚了两年。
HBM使用了 128 位宽通道，最多可堆叠 8 个通道，形成 1024 位接口，总带宽在 128GB/s 至 256GB/s 之间。
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HMC vs HBM
今天HBM如日中天，HMC却已经淡出江湖，是何缘由呢？
笔者分析大致有以下两个原因：1.结构差异，2.行业标准。
结构差异
虽然HMC和HBM结构相似，都是将DRAM堆叠在逻辑控制器之上，并且都采用了3D TSV技术，但是，HBM却多了一层Interposer，通过Interposer将DRAM堆栈和GPU紧密集成在一起。可以说有GPU的地方，必有HBM。
HMC将内存堆栈放置在距离CPU/GPU 很远的位置的方法意味着3D芯片堆叠和固有的低延迟的大部分优势都会丧失，毕竟物理定律是谁也无法逃脱的，信号的传输速度只能那么快。远，就意味着更大的延迟。
假设分别包含HBM和HMC的系统，我们来绘制最小的立方体，并检查其功能密度，即单位体积内包含的功能单位的数量，可以简单理解为单位体积内包含的晶体管数量。可以看出HBM要明显大于HMC，即HBM的功能密度更高，因此，作为先进封装的重要指标来说，HBM的先进程度更高。在热量能够散出的前提下，紧凑紧凑再紧凑就是先进封装的设计原则，为此，我提出了功能密度定律，作为描述系统集成度的重要依据。详见拙著《基于SiP技术的微系统》。通过3D TSV 集成，垂直堆叠芯片，解决了芯片上晶体管等微小组件的一个重要问题：距离。通过将器件垂直堆叠在一起，可以最大限度缩短它们之间的距离，从而减少延迟和功耗。这一点上，HMC和HBM都做到了。然而，HMC没有 Interposer，无法和CPU/GPU进行紧密的集成，因而影响其功能密度, 而HBM却通过Interposer将内存堆栈和CPU/GPU进行紧密集成，有效地提升其功能密度，从而在竞争中胜出。HMC是典型的3D集成技术，而HBM则更高一筹，被称为3.5D集成技术，别小看这0.5个维度，它能带来更紧密的集成度，从而提高系统的功能密度。
从结构上来说，HBM真正击败HMC的原因是什么呢？距离。
有人问，HMC败北HBM是因为它是3D封装而HBM是3.5D吗？是的，确实可以这么理解。
行业标准
结构上的短板，使得HMC必然在功能密度上比不上HBM，在HBM推出后，HMC颓势已显。而给HMC致命一击的是，HBM推出没多久，就被定为了JEDEC行业标准，而HMC虽然比HBM早两年推出，却只有一个HMCC在苦苦支撑。一个是行业内主要科技公司都认可的大组织，一个是美光自己拉起来的小圈子，比赛还没正式开始，胜负就已经分出。拥有数百家会员公司的JEDEC奉行一公司一票与三分之二多数的制度，从而降低了标准制定被任何一家或一批公司所把控的风险。也就是说，JEDEC标准的话语权并不由巨头所掌握，只有大家真正认可，才会最终被推行为正式标准。2018年，人工智能开始兴起，高带宽成为了内存行业的重心，和GPU紧密绑定的HBM赢得了最大的市场，主推该标准的海力士与三星成了大赢家，HBM的大客户英伟达和AMD也因此而赚的盆满钵满。HMC早就没有了2011年刚推出时的风光，门可罗雀，美光也不再执迷不悟，于2018年8月宣布正式放弃HMC，转向HBM。美光毕竟晚了一步，市场份额明显落后于两家韩厂，根据最新数据，SK 海力士占据全球 HBM 市场 50% 的份额，位居第一；三星紧随其后，占据 40% 的份额；而美光屈居第三，仅占据 10% 的市场份额。人工智能的兴起，或许是压倒HMC的最后一根稻草。事到如今，美光也不由地感慨：既生瑜何生亮？
在半导体江湖，新技术层出不穷，波浪荡漾的湖面，星星点点，闪耀着科技的光芒。有些技术曾经光芒四溢，最终却黯然退出，有些却能长时间屹立不倒，并推动人类科技的伟大进步。成王败寇，半导体江湖也是如此。
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