前面我们简要介绍了CPHY的基本概念和电气特性要求，我们接着讨论系统电路仿真的内容。下面是某消费电子的CPHY全链路示意图：

这是一个VR眼镜的系统电路及硬件示意图

CPHY的电路仿真主要包含2方面工作：频域仿真和时域仿真。频域仿真主要包括用3D电磁工具抽取全链路S参数、全链路的S参数级联仿真及数据处理；时域的仿真包括TDR仿真、眼图仿真以及其他的数据处理等。

1.抽取S参数

下面是我们利用HFSS抽取主板的S参数模型示意图：

当然，我们应该将所有CPHY通道的S参数一起抽取出来，但是我们设计较好，所以就单lane抽取，跑起来也快（具体case下次分享）。此外，连接器的S参数是供应商提供，AP封装的S参数也是IC提供，其他的部分需要自己动手抽取。当所有的S参数抽取完成后，我们在ADS中搭建级联S参数进行S参数和眼图的仿真。

2.S参数级联仿真

这里需要注意的是：CPHY规范给的频域约束是差分的，但有些IC公司给的是单端约束，具体以IC公司的要求为准。所以这里将2种模式都搭建了出来。

下面是仿真结果：

可以看到结果满足规范的要求，这里添加的是标准通道的约束。这里只给出了插损和回损的结果，还有其他很大一部分参数的处理和DPHY类似，这里就不赘述

我们在此基础上搭建TDR的仿真原理图，查看TDR的结果，具体信息如下：

可以看到TDR结果满足10%的偏差要求。

3.眼图仿真

注意:当前的仿真调用了IBIS模型。结果如下：

可以看到，眼图结果符合Spec的要求。

仿真结果如下：