目前DDR最新的版本是DDR5，对于之前的版本DD1~DDR4区别上不大，核心的功能管脚基本保持一致。我们先了解一下DDR1~DDR5的一些主要的区别，如下表所示：从上表可以看得出来，DDR1~DDR5最大的区别在于工作电压，越来越低了，说明功耗越做越低了。DDR的管脚定义在大体上来看可以分为6组。（1）电源管脚和GND管脚主要分为VDD和VDDQ已经对应的地管脚VSS和VSSQ。VDD:核心电压，对应的负极是VSS(参考电位)VDDQ:I/O电压，对应的负极是VSSQ（参考电位）（2）数据相关信号线DQ[0:N]:数据传输线，全部为双向数据线，负责读写数据。DQS/DQS#:差分数据选通信号（同样是双向），主要用于同步数据采样。DM/DBI:数据掩码（DDR1~DDR3）,或者数据总线反转（DDR4）其中:DM:写入数据时能屏蔽无效的数据。    DBI:在DDR4中主要用于优化整体功耗和信号的完整性。（3）地址线与Bank选择线A[0:N]:地址总线（包括行地址和列地址），其中DDR1是14位地址（A0~A13），DDR4为17位地址(A0~A16)。BA[0:M]:Bank地址，用于选择存储体。其中DDR1一共有4个Bank，DDR4有高达16个Bank，4个Bank Group。BG[0:K]:Bank Group地址。（4）控制信号CS#:片选信号，选择需要操作的芯片。RAS#/CAS#/WE#:行列地址选通与写使能控制。ODT:片上终端使能，动态调整终端电阻，可以起到改善信号完整性的作用。CKE:时钟使能管脚，用于控制时钟信号（如低功耗模式时）RESET#:硬件复位信号，低电平有效。（5）时钟信号CK/CK#:差分系统时钟，上升/下降沿均触发数据操作。CK_t/CK_c:增强差分时钟命名。（6）其他VREF：参考电压，用于数据接收端的电平判定。ZQ:外部校准管脚，调整驱动强度与终端电阻。一般连接240Ω电阻到VSSQ，电阻建议用高精度的。TEN/ALERT#:温度传感器与错误报警输出管脚（仅在DDR5上有）。