◆14.1.1  集成电路电阻

为了构成集成电路电阻，可以淀积一层具有阻值的薄膜在硅衬底上，然后运用图形曝光技术和刻蚀定出其图样，也可以在生长于硅衬底上的热氧化层上开窗，然后写入（或是涣散）相反导电型杂质到晶片内，图14.3闪现运用后者方法构成的两个电阻的顶视图和截面图，一个是曲折型，另一个是直条型.

首要考虑直条型电阻．在距表面深为х处、平行于表面厚度dχ的p型材料薄膜层的微分电导dG（如B-B截面所示）为式

中w是直条的宽度，L是直条的长度（假定先忽略端点的触摸面积），μp是窄穴迁移率，p为掺杂的浓度，这个直条型电阻的悉数写入区的电导为

此处，一个正方形电阻的电导，也就是当L＝w时，G=g．因此，电阻为