碳化硅（SiC）是一种重要的宽禁带半导体材料，广泛应用于高功率和高频电子器件中。以下是碳化硅片的一些关键参数及其详细解释：

晶格参数 (Lattice Parameters)：

确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配，以减少缺陷和应力。

例如，4H-SiC和6H-SiC具有不同的晶格常数，这会影响它们的外延层质量和器件性能。

堆砌顺序 (Stacking Sequence)：

SiC宏观上都是由硅原子和碳原子以1:1的比例构成，但原子层的排列顺序不同，则会形成了不同的晶体结构。

常见的晶型有3C-SiC（立方结构），4H-SiC（六方结构），6H-SiC（六方结构），分别对应的堆砌顺序为：ABC，ABCB，ABCACB等。每种晶型的电子特性和物理性质都有所不同，因此选择合适的晶型对特定应用至关重要。

莫氏硬度 (Mohs Hardness)：

确定衬底的硬度，硬度影响加工难易程度和耐磨性。

碳化硅的莫氏硬度非常高，通常在9-9.5之间，使其成为一种非常坚硬的材料，适用于需要高耐磨性的应用。

密度 (Density)：

影响衬底的机械强度和热性能。

高密度通常意味着更好的机械强度和热传导性能。

热膨胀系数 (Thermal Expansion Coefficient)：

指的是衬底在温度升高一摄氏度时，其长度或体积相对于原始长度或体积的增加比例。

衬底和外延层在温度变化下的配合情况，影响器件的热稳定性。

折射率 (Refraction Index)：

对于光学应用，折射指数是设计光电器件的关键参数。

折射率的不同会影响光波在材料中的传播速度和路径。

介电常数 (Dielectric Constant)：

影响器件的电容特性。

较低的介电常数有助于减少寄生电容，提高器件性能。

热导率 (Thermal Conductivity)：

对高功率和高温应用至关重要，影响器件的冷却效率。

碳化硅的高热导率使其非常适合于高功率电子器件，因为它能有效地将热量从器件中传导出去。

带隙 (Band-gap)：

指半导体材料中价带顶端和导带底端之间的能量差。

宽带隙材料需要更高的能量才能激发电子跃迁，这使得碳化硅在高温和高辐射环境下表现出色。

击穿电场 (Break-Down Electrical Field)：

半导体材料可以承受的极限电压。

碳化硅具有非常高的击穿电场，使其能够承受极高的电压而不发生击穿。

饱和漂移速度 (Saturation Drift Velocity)：

载流子在半导体材料中施加一定电场后能够达到的最大平均速度。

当电场强度增加到一定程度时，载流子的速度不会再随电场的进一步增强而增加，此时的速度称为饱和漂移速度。碳化硅的饱和漂移速度较高，这有利于实现高速电子器件。

这些参数共同决定了碳化硅片在各种应用中的性能和适用性，特别是在高功率、高频和高温环境下的应用。