MESFET并不是MOSFET的笔误，而是另一种功率JFET，它是“Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor”的缩写，大致含义是“金属—”。

MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构（图1.24）。就PN结的特性而言，与肖特基二极管并无本质上的区别。众所周知，肖特基势垒的基本结构就是“Metal-Semiconductor”（金属-半导体），MESFET也是由此得名。虽然都是横向沟道，但是MESFET的沟道更短。

MESFET的肖特基势垒栅极通常采用的材料为GaAs(Gallium  Arsenide，砷化镓)，新一代半导体材料InP（Indium Phosphide，磷化铟）和SiC( SiliconCarbide,碳化硅)也开始有应用。

从工作模式来看，MESFET也有增强型与耗尽型之分，这一点与是相近的，其实，它的肖特基势垒栅极与MOS栅极也是有相似之处的。

MESFET主要作为功率微波器件用在“固态”发射机上，工作频率可达45GHz以上，比JFET和MOSFET都要高。