您曾经是否需要过一款简单、低成本的锁存电路？图 1 显示的就是这样一款电路，它只需几元钱的组件便可以提供电源故障保护，基本上是一个可控硅整流器 (SCR)，结合了一些离散组件。两个晶体管正常情况下为关闭状态。若想开启锁存，您需要将 PNP 基极驱动为低电平，或者将 NPN 基极驱动为高电平，直至其中一个晶体管开启。这样会形成集电极电流，让另一个晶体管也开启，从而进一步开启初始晶体管。电路以一种再生方式执行锁存操作。电流仅受限于电源阻抗和晶体管特性，从而允许电路对电容器快速放电。
图 1 使用离散组件构建一个具有受控保持电流的 SCR
图 2 显示了这种电路一个很好使用方法。图中所示为一个高压输入、48-V 输出反向转换器，它在出现由控制电路故障引起的输出过电压状态时，利用 SCR 来关闭电源。输入电压首次施加于电路时，流经 R3 和 R4 的电流便对大容量电容器 C3 充电。当 C3 的电压达到足够高时，控制 IC 便开始工作，对功率 FET Q3 进行开关操作，并将能量传送给输出端。通过控制 U1 的电流，实现对输出电压的调节，从而控制通过变压器传输的能量。这种电路还通过 U3 提供隔离式过电压保护。我们选择使用了齐纳二极管 D5 和 D6，它们在正常工作期间不导电。在出现过电压的情况下，它们便开始导电，压制光耦合器 U3 的电流。U3 触发由 Q4 和 Q5 组成的锁存电路。锁存电路对偏置电容器 C3 放电，而当 VDD 电压达到 U2 的欠压停止点时 U2 停止工作。
图 2 编程实现 SCR 的锁存控制
使用这种电路的方法有很多，特别是在您使用升降沿来触发它时。例如，在 Q5 偏压和基极之间连接一个齐纳二极管，便可以在一次侧实现过电压保护。您可以使用一个负向变换的温度传感器来驱动 Q4 的基极。或者，您也可以在二次侧使用一个比较器，通过一个与图 2 所示极为类似的光耦合器，实现一种非常精确的过电流关闭功能。
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