在供电设备应用中，PMOS管常常作开关使用，当负载的容性负载较大时，PMOS管在开通的瞬间，会造成前级电源电压跌落。这是为什么呢在开通瞬间前级电源电压跌落，这是因为开关速度过快，mos 管开启瞬间充电电流引起。解决这个问题的关键在于，降低大容量电容的充电速度。例如有的电路的后级电源，有很多电路在同时使用，这时会接了许多滤波电容，导致总电容量很大。当电源突然接通时，需要对这些电容进行充电，电容量较大。由于一开始需要的电流很大，前级来不及提供，最终导致电源被拉下。那么，我们该如何降低大容量电容，避免这种情况呢？我们主要围绕三种措施进行展开（但不限于）：一、串联电阻PMOS与电容之间，电容上面，或者在PMOS之前进行串联电阻，本质上都可以降低前级电源对电容的充电电流。对于串联电阻，我们在此之前提到很多次，它能降低电容的充电速度，并且降低相应的负载能力。不过在PMOS之前串联电阻要注意，串联电阻的大小，需要以最大负载电流与PMOS的最大电流得出的平均值来定。二、增加电源电容栅极与源极之间，或者栅极与漏极之间并联电容。能够降低PMOS的开通速度，这是利用控制PMOS的沟道宽度，来间接控制电容的充电电流。此外，也可以选择在前级电源输入处，增加适当大小的电容，对电源的波动进行缓冲和抑制，减小电源跌落的幅度。三、增加电源电压稳压器或者跟随器面对负载突然增大的情况，稳压器可以保证电压输出的稳定，而跟随器可以通过负反馈的方式，进行自动调整输出电压。