离子轰击的不均匀性干法刻蚀通常是物理作用和化学作用相结合的过程，其中离子轰击是重要的物理刻蚀手段。在刻蚀过程中，离子的入射角和能量分布可能不均匀.如果离子入射角在侧壁的不同位置存在差异，那么离子对侧壁的刻蚀效果也会不同。在离子入射角较大的区域，离子对侧壁的刻蚀作用更强，会导致该区域的侧壁被刻蚀得更多，从而使侧壁产生弯曲。此外，离子能量的不均匀分布也会产生类似的效果，能量较高的离子能够更有效地去除材料，造成侧壁在不同位置的刻蚀程度不一致，进而引起侧壁弯曲 。光刻胶的影响光刻胶在干法刻蚀中起着掩膜的作用，保护不需要被刻蚀的区域。然而，光刻胶在刻蚀过程中也会受到等离子体的轰击和化学反应的影响，其性能可能会发生变化.如果光刻胶的厚度不均匀、在刻蚀过程中的消耗速率不一致，或者光刻胶与衬底之间的附着力在不同位置有所不同，都可能导致刻蚀过程中对侧壁的保护作用不均匀。例如，光刻胶较薄或附着力较弱的区域，可能会使下方的材料更容易被刻蚀，从而导致侧壁在这些位置出现弯曲 。