IRF250是N极性MOS管，IRF250主要特征：

-重复Avalanche评级

-动态dv / dt评级

-密封保护

-简单驱动要求

-防静电等级:3A/ MIL-STD-750, 1020方法

IRF250基本描述：

HEXFET®MOSFET技术是先进的关键技术功率MOSFET晶体管线。有效几何和独特的处理这最新的“艺术状态”设计实现:非常低的通态电阻结合高反式电导;优越的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。

HEXFET晶体管还具有所有成熟的特性MOSFETs的优点如电压控制，非常快开关和温度的电气参数的稳定性。它们非常适合用于开关电源，采购产品供应，电机控制，逆变器，斩波，音频放大器以及高能脉冲电路等应用。

IRF250核心参数：

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-20V, +20V

最小工作温度:-55°C

最大工作温度:+150°C

Pd-功率耗散:150 W

封装:TO-204AE

晶体管极性: N

高度:7.74 mm

长度:39.37 mm

宽度:25.53 mm

下降时间:130 ns

上升时间:190 ns

典型关闭延迟时间:170 ns

典型接通延迟时间:35 ns

IRF250代替型号：

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