MOSFET关断速度影响开关损耗，介绍四种实用关断电路：反向并联二极管、PNP、NPN和NMOS电路。各有优缺点，适用于不同需求，可优化开关速度和损耗。MOSFET的关断速度取决于栅极驱动电路，提高开关速度可能会降低开关损耗，今天来分享四个比较实用的关断电路。简单的关断电路最简单的技术就是反向并联二极管。在这里，RGATE电阻器调整MOSFET开通速度，在关断过程中，反向并联二极管对电阻器进行分流。随着栅源极电压接近0V，二极管的作用变小，但这个电路有个缺点，栅极关断电流会流经驱动器的输出阻抗。

PNP关断电路这是比较常见的电路，由于Qoff的存在，在关断期间栅极和源极在MOSFET端形成局部短路。RGATE电阻器限制了开通速度，二极管为开通电流提供了路径，并且保护了三极管，防止在开通开始时出现反向击穿。这个电路的优势在于，MOSFET输入电容的高峰值放电电流被两个晶体管限制了，让关断电流不会返回驱动器，避免了误开通现象。同时也让驱动器的功率损耗减少了两倍。NPN关断电路和上一个电路相似，它可以将栅极放电电流有效地控制在局部。但不同的是，NPN晶体管能让栅极更接近于GND，还能实现可提供偏置机制，让MOSFET在上电期间保持关断状态。不过这里有个缺点，因为QOFF 是反相级，需要QINV提供的反向PWM信号。而反相器在MOSFET导通时会消耗驱动器中的电流，降低电路效率。NMOS关断电路这个电路相比前面的，器件比较少，它是使用了双驱动器为小型的Nmos提供了反相PWM信号，能够提供很快的开关速度，将MOSFET栅极完全放电到0V。这里的电阻器不仅可以设置开关速度，还可以在驱动信号时序有缺陷的时候，防止在驱动器两个输出之间形成击穿电流。