滑动动变阻器是如何连接和如何连入电路的：
①滑动变阻器的有效连接：“一上一下”；
按照“一上一下”的连接原则，滑动变阻器有四种正确接法如上图3，但只有两种结果：要么把滑片P左端的电阻丝连入电路，要么把滑片P右端的电阻丝连入电路，所以四种接法中，各有两种接法是等效的。
②判断阻值变化的规律：“近小远大”。
“近小远大”：连入电路的阻值变化决定于连接下面的两根接线柱A和B（导线连接A，即表示A侧的电阻丝连入电路；导线连接B，即表示B侧的电阻丝连入电路）。若滑片向远离下面的连接的接线柱移动，则连入的电阻变大，反之变小。
关于滑动变阻器内的电流流向问题
图1中：滑动变阻器串联，ac相当于把aR短路，很明显没有经过电流；
图2中：滑动变阻器并联，这种情况可看成是变阻器的前半部分与R并联，然后跟变阻器后半部分串联；但是不能看成是电流直接经a-b路线通过滑动变阻器；
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为了了解齐纳二极管，我们首先看一个常规二极管。当二极管阻止反向电流时，二极管两端会产生较大的压降；当二极管允许电流正向方向流动时，二极管两端的压降很小。 现在我们用齐纳二极管替换二极管。 齐纳二极管允许电流正向流动，在这种情况下，齐纳二极管的
二极管选型相对简单，相信每个硬件工程师，都有对比过肖特基二极管与PN结二极管的差异。 差异无非有以下结果： 表中参数，看看就好，并不严格，知道二者之间的相对大小就行了 。 了解了上面参数，基本就知道什么电路，该选什么类型的二极管了。 能用PN结二
MOSFET和三极管，在ON状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。 是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？ 三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ic
1.TP4056——UMW(友台半导体) TP4056是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。TP4056采用ESOP8封装配合较少的外围原件使其非常适用于便携式产品，并且适合给USB电源以及适配器电源供电。 基于特殊的内部MOSFET架构以及防倒充电路，TP4056不需 要
电容的种类繁多，眼花缭乱，在使用上定性，我们就能化繁从简，给设计及应用带来便利。 我们绝大多数电路板都能至少找到这4种电容的一种：铝电解电容，陶瓷电容，钽电容，CBB电容。 ❤铝电解电容：有极性，对电源进行滤波储能，常用容值范围：10--470μF；耐压
注 | 文末留言有福利哦 0 1 磁珠原理 磁珠的主要原料为铁氧体，铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。 铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金，它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似，颜色为灰黑色。 电磁干扰滤波器中经常使用的一类磁芯就是铁氧体材料，许多厂商
一、二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程 在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。 设VD为二极管正向压降（硅管为0.7V左右），当VF远大于VD时，VD可略去不计，则 在t1时，V
一直有个疑惑：电容感抗是1/jwC，大电容C大，高频时w也大，阻抗应该很小，不是更适合滤除高频信号？然而事实却是：大电容滤除低频信号。 今天找到解答如下：一般的10PF左右的电容用来滤除高频的干扰信号，0.1UF左右的用来滤除低频的纹波干扰，还可以起到稳压
首先，想说上拉电阻几乎都是应运三极管电路而生的，但是本文基本上都属于定性的分析，避免对其定量分析，相信即使没有学过三极管晶体电路的同学还是可以基本理解的。 首先还要明确一个术语，所谓开漏（OD），开集（OC）电路就 是场效应管的漏极和三极管的集电
一、二极管的电容效应 二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。 1、势垒电容CB（Cr） 前面已经讲过，PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个
导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管(FET)，简称场效应管。MOS在电路中应用
下图是陶瓷滤波的基本结构和原理，由锆钛酸铅等粉末高温烧结压铸的陶瓷片经高压直流极化后形成具有压电效应的压电材料，具有压电效应和谐振选频功能。 和普通晶振晶体特性类似，因此通过组合可制成各类陶瓷谐振器或者滤波器等器件，下图是其等效电路，和晶振
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