很早之前发过，再整理发一次。
目前来看，对于1500V组串式光伏逆变器，ANPC将成为主流趋势。
旧梦尘封休再启，一心只向东流水！
——梁羽生 《绝塞传烽录》
在标准NPC的基础上，把钳位二极管换成主开关管，就形成了ANPC,用于解决NPC损耗分布不均带来的热不均。根据不同的发波方式，开关管的电流会有所不同，以下分别讨论。
本篇包含以下的内容：
① , 前言
② , PWM1
③ , PWM2
④ , PWM3
⑤ , Vincotech可以提供的产品
⑥ , 最后
01
前言
1,如下图，将NPC的钳位二极管换成主开关管，就形成了ANPC.
02
PWM1
1,T2,T3=工频管,T1,T4=高频管
2,T5,T6 电流走diode@PF=1,实际上等同于NPC
T1~T6 Vgate波形
T1~T6 IC波形
@PF=1时，
1,T1=高频电流，幅值等于电感电流，D1无电流
2,T2=工频电流，幅值等于电感电流，D2无电流
3,D5=高频电流，幅值等于电感电流，T5无电流
4,3,4,6管同上
03
PWM2
1,T1,T4,T5,T6=工频管,T2,T3=高频管
2,T5,T6 电流走IGBT@PF=1
T1~T6 Vgate波形
T1~T6 IC波形
@PF=1时，
1,T1=高频电流，幅值等于电感电流，IGBT处于常开，因此无开关损耗，D1无电流
2,T2=高频电流，幅值等于电感电流，D2 =高频电流，幅值等于电感电流
3,T5=高频电流，幅值等于电感电流， IGBT处于常开，因此无开关损耗，D5无电流
4,3,4,6管同上
很明显在这种应用中，非常有利于SiC MOSFET+IGBT组合实现较高的开关频率
1,T1,T4,T5,T6 IGBT作为从开关管实现工频
2,T2,T3 SiC MOSFET作为主开关，实现高频
04
PWM3
1,T2,T3=工频管,T1,T4,T5,T6=高频管
2,T5,T6 IGBT/diode均有电流,仿真电流各分摊一半@PF=1
T1~T6 Vgate波形
T1~T6 IC波形
@PF=1时，
1,T1=高频电流，幅值等于电感电流，IGBT处于常开，因此无开关损耗，D1无电流
2,T2=工频电流，幅值等于1/2电感电流，D2 =高频电流，幅值等于1/2电感电流
3,T5=高频电流，幅值等于1/2电感电流，D5 =高频电流，幅值等于1/2电感电流
4,3,4,6管同上
@PF=1时，仿真理想状态下，
1,正半周，电流走D5，幅值等于0.5倍电感电流
2,负半周，电流走T5，幅值等于0.5倍电感电流
3,可以看到D5可以有效的分担T5的电流，以降低损耗，因此这种方式被广泛的采用
下图红色是电感电流，蓝色T5&D5电流
针对PWM3，讨论完全无功的情况，
应用条件如下：
Vbus=800Vdc,Vout=380Vac,
P=0,Q=50KVA,Ipeak=107A,
Fsw=20khz
针对PWM3，讨论完全无功的情况
当Va<0,Ia>0,
情况1
1,D4=高频电流，幅值=电感电流
2,D3=工频电流，幅值=电感电流
情况2
1,T6=高频电流，幅值=电感电流
2,D3=工频电流，幅值=电感电流
针对PWM3，讨论完全无功的情况
当Va<0,Ia>0,
情况1
1,D4=高频电流，幅值=电感电流
2,D3=工频电流，幅值=电感电流
情况2
1,T6=高频电流，幅值=电感电流
2,D3=工频电流，幅值=电感电流
针对PWM3，讨论完全无功的情况
当Va<0,Ia<0,
情况1
1,D2=高频电流，幅值=1/2电感电流
1,T5=高频电流，幅值=1/2电感电流
情况2
1,T3=工频电流，幅值=电感电流
2,D6=高频电流，幅值=1/2电感电流
情况3
1,T3=工频电流，幅值=电感电流
2,T4=高频电流，幅值=电感电流
针对PWM3，讨论完全无功的情况
当Va>0,Ia>0,
情况1
1,T1=高频电流，幅值=电感电流
2,T2=工频电流，幅值=电感电流
情况2
1,D5=高频电流，幅值=1/2电感电流
2,T2=工频电流，幅值=电感电流
情况3
1,T6=高频电流，幅值=1/2电感电流
2,D3=高频电流，幅值=1/2电感电流
05
Vincotech可以提供的产品
通过以上的讨论，可以准确的知道不同的应用对于芯片的配置和要求会有所不同，对应PWM2
通过以上的讨论，可以准确的知道不同的应用对于芯片的配置和要求会有所不同，对应PWM3
06
最后
1,以前的计算文件回复H6.5就可以获取。
2,另外本人能力有限，如有错误还请私信我，以免误导其他读者。
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