半导体产品在由二维向三维发展,从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装(SiP)等新的封装方式,从技术实现方法出现了倒装(FlipChip),凸块(Bumping),晶圆级封装(Wafer level package),2.5D封装(interposer,RDL等),3D封装(TSV)等先进封装技术。
半导体产品在由二维向三维发展,从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装(SiP)等新的封装方式,从技术实现方法出现了倒装(FlipChip),凸块(Bumping),晶圆级封装(Wafer level package),2.5D封装(interposer,RDL等),3D封装(TSV)等先进封装技术。
半导体生产流程由晶圆制造,晶圆测试,芯片封装和封装后测试组成。而测试环节主要集中在CP(chip probing)、FT(Final Test)和WAT(Wafer Acceptance Test)三个环节。
封装形式集成电路发展初期,其封装主要是在半导体晶体管的金属圆形外壳基础上增加外引线数而形成的。但金属圆形外壳的引线数受结构的限制不可能无限增多,而且这种封装引线过多时也不利于集成电路的测试和安装,从...
集成电路封装在电子学金字塔中的位置既是金字塔的尖顶又是金字塔的基座。说它同时处在这两种位置都有很充分的根据。从电子元器件(如晶体管)的密度这个角度上来说,IC代表了电子学的尖端。但是IC又是一个起始点,是...
3D晶圆级封装,英文简称(WLP),包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装...
20世纪90年代中期,因使用ASIC实现芯片组受到启发,萌生应该将完整计算机所有不同的功能块一次直接集成于一颗硅片上的想法。这种芯片,初始起名叫System on a Chip(SoC),直译的中文名是系统级芯片。 在集成电路界...
BGA封装结构中芯片与基板的互连方式主要有两种:引线键合和倒装焊。BGA的I/O数主要集中在100~1000。成本、性能和可加工能力是选择使用何种方式时主要考虑因素。采用引线键合的BGA的I/O数常为50~540,采用倒装焊方式...
BGA (Ball Grid Array)-球状引脚栅格阵列封装技术,高密度表面装配封装技术。在封装底部,引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案,由此命名为BGA。主板控制芯片组多采用此类封装技术,材料多为陶瓷。采用BGA技...
Flip chip又称倒装片,是在I/O pad上沉积锡铅球,然后将芯片翻转加热利用熔融的锡铅球与陶瓷基板相结合此技术替换常规打线接合,逐渐成为未来的封装主流,当前主要应用于高时脉的CPU、GPU(Graphic Processor Unit)...
板上芯片(ChipOnBoard,COB)工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点,然后将硅片直接安放在基底表面,热处理至硅片牢固地固定在基底为止,随后再用丝焊的方法在硅片和基底...
半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式...