IRF9540N是P极性MOS管，IRF9540N主要特征：

-先进工艺

-动态dv/dt评级

-175℃工作温度

-快速开关

-P沟道

-完全Avalanche额定

IRF9540N基本描述：

来自国际整流装置的第五代HEXFETs采用先进的加工技术，实现了每硅面极低的通阻。这一优点，加上HEXFET Power MOSFETs广为人知的快速切换速度和坚固的设备设计，为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备，用于广泛的应用。

在功率耗散水平约为50瓦时，TO-220封装是所有商业-工业应用的普遍首选。低热阻和低包装成本的TO-220使其广泛接受在整个行业。

IRF9540N核心参数：

Vds-漏源极击穿电压: -100 V

Id-连续漏极电流: 23A

Rds On-漏源导通电阻: 117 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: -20 V, +20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 97 nC

最小工作温度: -55°C

最大工作温度: +175°C

Pd-功率耗散: 140 W

封装: TO-220AB

上升时间: 67.0 ns

IRF9540N代替型号：

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