CESD3V3D3 CESD5V0D3 CESD12VD3 CESD3V3D3单向瞬变二极管,静电保护管3.3VUni-direction ESD Protection Diode
设计用于保护电压敏感电子元件不受静电放电和其他影响瞬变的ESD二极管
产品信息
设计用于保护电压敏感电子元件不受静电放电和其他影响瞬变。良好的夹紧能力,低泄漏,快速响应时间对于暴露于静电的设计,具有最佳的等级保护。体积小、防静电等级高的组合,使其具有一定的灵活性解决方案为应用程序,如HDMI,显示端口TM,和MDDI接口。它是设计用于在消费设备应用中取代多层压敏电阻器(MLV)如手机、笔记本、PADSTB、液晶电视等
CESD3V3D3特点
单线单向ESD保护
反向_关断电压:3.3V
低反向箝位电压小于13V@IPP16A
低漏电流1uA
寄生电容120 pF
小体积:1.70mm×1.30mm×1.00mm
快速响应时间
JESD22-A114-B ESD
IEC 61000-4-2 Level 4 ESD 保护
CESD3V3 (4).jpg CESD3V3 (3).jpg CESD3V3 (2).jpg CESD3V3 (1).jpg
常州鼎先电子有限公司
13775299578邢思前
生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array



零件型号
CESD5V0D3
是否无铅
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
极性(单双向)
单向
工作电压VR-VI(max)
5V
击穿电压 V(BR)-min
6.2V
钳位电压 VC
9.8V
峰值脉冲功率
350W
工作温度
-55°C~150°C
安装类型
表面贴装(SMT)
封装/外壳
SOD-323(SC-76)
产品分类
ESD抑制器/TVS二极管
零件型号
CESD12VD3
极性(单双向)
单向
工作电压VR-VI(max)
12V
击穿电压 V(BR)-min
13.3V
钳位电压 VC
24V
峰值脉冲电流(Ipp
9A
峰值脉冲功率
220W
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装(SMT)
封装/外壳
SOD-323(SC-76)