光伏及击穿，都可视为复合的逆过程，
但是，复合 跟光伏与击穿， 不光是进程的方向相反，背景状态也不一样，
复合的工况，是正偏，光伏是零偏，击穿则是反偏，光伏的能源是外来的，击穿消耗的是电路内部的能量，
漂移的载流子是 客席载流子，须借外延层才能引入，客席载流子 不受反偏PN结的空乏区阻碍，能漂不能漂，只取决于反偏PN结是否处于外延层的「射程」范围，
而穿通的成因，则是因空乏区的过度扩张，致使跟 端子、外延层或其他空乏区 碰触，当耗尽层融通，耐压（反向阻断能力）即告彻底丧失，空乏区的扩张是需要力气的，所以，穿通只能在尚未击穿的状态下才允许发生。
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隧道二极管掺杂浓度甚高，
如果把全体或结区的掺杂稍微减轻，正向的负阻特性就会消失（门槛值却不变)，但反向阻断能力仍然为零，这样的元件叫做〖反向二极体〗 ， μV级的讯号，用它来检波就称职了，
另外我发觉，这种反向二极管的特点其实可用于「高压硅堆」中去，因为，两种掺杂半导体的连合，可能是无法造出〖欧姆接触〗的，二极管串联，想把导线和端子踢掉，可以参考「反向二极体」的掺杂手段，利用此特点得到相当于欧姆接触的连合。