SLM7888是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供三个独立的高边、低边输出驱动信号便于用于三相电路。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。当VDD或VBS低于门限指标电压时，欠压闭锁电路防止功能失效。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通延时匹配很方便应用于高频设备。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达160V。
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SLM7888系列SLM7888CH产品特性：
1.为自举供电设计的浮动通道
2.全电压范围运行达160V
3.允许瞬态负电压，不受dV/dt影响
4.驱动电源范围从10V到20V
5.欠压闭锁
6.3.3V，5V和15V逻辑兼容
7.低di/dt门极驱动抗干扰能力强
8.典型死区时间：270ns
9.典型开通/关断延时：100ns/110ns
10.典型驱动电流：350mA/650mA
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SLM7888系列SLM7888CH产品优势：
高压高速：可用于高压、高速的功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，工作电压可高达 160V。
浮动通道设计：专为自举供电设计，可用于驱动高边配置的 N 型沟道功率 MOSFET 或 IGBT，允许瞬态负电压，且不受 dv/dt 影响。
宽电压范围：驱动电源范围从 10V 到 20V。
逻辑兼容性强：逻辑输入电平与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低支持 3.3V 逻辑，方便与不同逻辑电平的系统集成。
欠压闭锁功能：当 VDD 或 VBS 低于门限指标电压时，可防止功能失效，提高了系统的稳定性和可靠性。
抗干扰能力强：低 di/dt 门极驱动使其具有较强的抗干扰能力。
延时特性良好：典型死区时间为 270ns，典型开通 / 关断延时分别为 100ns 和 110ns，便于在高频设备中使用。
驱动电流适中：典型驱动电流为 350mA/650mA，能够满足大多数应用场景的需求。
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