测量对于确定 IC 的 EMC 特性是必要的。只有准确了解 IC 的 EMC 特性，才能在生产前采取有效的预防措施，提高产品的抗 ESD 能力和 EMC 性能，避免后期因 ESD 干扰导致的产品故障和成本增加等问题 。

三、集成电路ESD 测试与分析

1、测试环境与电场产生

图5 使用 ESD 发生器的测量设置 l 测试环境，集成电路（IC）被放置在一个由接地平面、隔离垫圈环和场源形

成的屏蔽空间内。接地平面：可起到接地保护和屏蔽电磁干扰的作用；隔离垫圈：用于确定场源与IC之间的距离；场源：则是产生电场的关键部件；通过隔离垫圈，场源被设置在集成电路上方特定高度处。场源包含一个电极，测试电压脉冲会被施加到该电极上，电极进而产生一个确定的电场，集成电路就处于这个电场之中。这种设置能够为集成电路提供一个可控制且相对稳定的电场环境，以便进行相关测试.

l 场源可以产生多种在实际中可能出现的测试脉冲。例如，在实际使用中，脉

冲的上升时间可能会出现 200 皮秒、1 纳秒和 5 纳秒等不同情况，这使得

测试能够更贴近真实的工作场景，更准确地评估集成电路在各种实际电场条件下的性能。

l 测试过程中，电极电压会逐渐增加，直至达到集成电路的抗扰度水平。通过

这种方式，可以确定集成电路在不同电场强度下的耐受能力，为评估其可靠性和稳定性提供重要依据。

2、静电放电事件中的磁场影响

l 在静电放电（ESD）事件期间，结构部件可能会产生额外的磁场. 例如，当

ESD发生时，放电电流会在结构部件周围形成磁场，这些磁场可能会与集成电路（IC）相互作用，从而干扰IC的正常运行。

l 利用相同的测量设置和一个磁场源确定IC的磁场抗扰度水平，这种方法能够

在相对统一的条件下，对 IC 抵抗磁场干扰的能力进行量化评估，以便更好地了解 IC 在不同磁场强度和频率下的性能表现。

l 故障模式分析：在进行上述测量时，需要对集成电路的故障模式进行分析。

在不同测试条件下出现的故障情况，如逻辑错误、输出异常、死机等，可以深入了解其在电场和磁场干扰下的薄弱环节，为改进设计和提高可靠性提供有价值的信息。

表 1 列出了针对一个微控制器的静电放电抗扰度测量结果，通常情况下，干扰脉冲上升时间越短，其频谱越宽，对 IC 的干扰能力可能越强。表 1 中的数据可以帮助工程师更直观地了解微控制器在不同 ESD 脉冲上升时间下的抗扰度性能，进而为系统级的 ESD 防护设计提供依据。

测量装置确定 EMC 参数，这些参数对于评估 IC 在电磁环境中的性能和兼容性至关重要，包括抗扰度、发射水平等指标。

3、关于集成电路受外部电磁场干扰的问题

如果电场或磁场从外部干扰集成电路，改变布局作为对策是不合适的。在这

种情况下，唯一有用的补救措施是改变机械设计。

l 屏蔽作用：通过改变机械设计，可以为 IC 增加有效的电磁屏蔽措施。例如，

使用金属外壳或屏蔽罩将 IC 包裹起来，这样可以阻挡外部电磁场的进入，从而保护 IC 免受干扰。

l 距离和方向调整：合理地调整 IC 与外部电磁场源之间的距离和相对方向，

也属于机械设计的范畴。增加距离可以降低电磁场的强度，而改变相对方向则可能使 IC 处于电磁场较弱的区域。如大型变压器周围的电磁场分布不均匀，通过调整 IC 的位置和方向，使其远离强磁场区域或与磁场方向平行，可以减少磁场对其的影响。

4、针对散热器强电场的具体应对措施

对于图 1 中的具体示例，可以采取以下对策，其中 IC 上方的散热器会产生强电场：

l 增加电子模块和散热器之间的接触弹簧数量，可以改善两者之间的热传导。

l 在集成电路（IC）上方布置局部屏蔽罩，如图 3 所示。这主要是为了减少外

部电磁场对 IC 的干扰，保护其内部的敏感信号和电路。如果可能的话，用屏蔽罩将模块全方位封闭起来，并可能配备穿心滤波器。这样做可以提供更全面的电磁屏蔽效果，防止外部电磁场进入模块内部，同时也能阻止模块内部产生的电磁辐射泄漏到外部。

l 将 IC 移动到无电磁场的一侧，但这样做会导致冷却无法进行。这是一种在

电磁兼容性和散热之间进行权衡的措施。当 IC 受到电磁场干扰问题较为严重，且其他电磁屏蔽措施难以实施或效果不佳时，可以考虑将其移动到远离电磁场源的位置。需要注意的是，该位置可能不利于散热，因此需要综合考虑 IC 的工作温度范围、散热要求以及电磁环境等因素。

l 增加 IC 和散热器之间的间隙：这样做可能会对散热产生一定的影响，但在

某些情况下，如需要避免两者之间的电气耦合或机械干涉时，是一种可行的方法。然而，这可能会导致散热效率下降，因此需要根据具体情况进行评估和优化，例如通过增加其他散热措施来弥补间隙增大带来的散热损失。

综上所总之，可以说，就开发抗干扰组件的时间和成本节约而言，提前了解微控制器的 ESD 参数是非常有益的。这意味着必须测量微控制器的 ESD 参数。该信息将允许在组件开发期间尽早规划必要的对策，以确保整个组件具有抗干扰性。

上海雷卯电磁兼容实验室，可以测试 IEC61000 系列标准：30KV 静电、1.2/50μS 和 8/20μS 浪涌、10/700μS 浪涌、10/1000μS 浪涌、ISO7637-2/5a/5b 抛负载、群脉冲 4KV EFT，半导体器件的性能 V-I 电感，电容测试,EMI 摸底等等。

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