芯片简介




SS6209 将半桥 MOSFET 驱动器(高边+ 低边)集成到 SOP8 的封装中。与分立元件解 决方案相比,SS6209 集成解决方案大大减少 了分立方案的寄生效应和板空间问题。 驱动器和 MOSFET 已针对半桥应用进行 了优化。高侧或低侧 MOSFET 栅极的驱动电 压可以工作在宽电压范围内,并且获得最佳效 率。内部自适应死区电路通过防止两个 MOSFET 同时导通,进一步降低了开关损耗。




当 VCC 低于规定的阈值电压时,UVLO 电路工作,可有效防止芯片的误动作。设计中 的 EN 引脚可以使芯片进入低静态电流状态, 并获得较长的电池寿命。


芯片特点




最大额定持续电流 4A,峰值 8A




自举式高端驱动器




集成高/低侧 MOSFET




高频操作(最高 1MHz)




PWM 输入兼容 3.3V 和 5V




内部自举二极管




欠电压锁定




热保护关断




自适应防串通保护


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