特点：
①更贴近应用的保护电流：充电过流0.3A，放电过流0.15A，短路保护0.45A，
②低功耗：静态功耗0.4uA，关机电流1nA，
③高集成度：集成MOS，支持Shipping mode，支持虚焊保护功能（虚焊保护是指芯片VDD脚虚焊后，锂电保护是不能工作的），
④高可靠性：支持充电器反接，支持带负载防电芯反接功能，ESD 8KV，
⑤高系列化：支持4.2-4.5V电芯平台，
⑥更好匹配性：锂电保护不带管压降，支持不同平台的充电芯片有专利，专利号：CN 112260371 A
应用：
超小DFN1x1-4封装，专为TWS耳机/智能手环手表/小容量产品设计
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