• NPN管和PNP管电流方向，及输入和输出特性曲线
  • 要点：
  • （1）NPN型BJT各极电流的形成主要依靠发射区发射自由电子（发射区为N型半导体，多子为自由电子）、基区复合自由电子、集电区收集自由电子；PNP型BJT各极电流的形成主要靠发射区发射空穴（发射区为P型半导体，多子为空穴）、基区复合空穴、集电区收集空穴；
  • （2）NPN型BJT欲使发射区发射电子、集电区收集电子，则发射结需要正偏（uBE>Uon），集电结需要反偏（uCE≥uBE）；PNP型BJT欲使发射区发射空穴、集电区收集空穴，则发射结也需要正偏（uEB>Uon，即uBE<-Uon），集电结也需要反偏（uBE≥uCE）；
  • （3）在要点（1）和（2）的基础上可知，NPN型晶体管和PNP型晶体管电流的流向相反，若认为NPN型晶体管各极电流的流向为正，则PNP型晶体管各极的电流流向为负。
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2. NPN/PNP单管基本共射放大电路
要点：
（1）不论NPN管共射放大电路还是PNP管共射放大电路，输入信号和输出信号之间的相位总是相反；
（2）对于NPN管共射放大电路（单级），若发生截止失真，输出电压表现为顶部失真；若发生饱和失真，输出电压表现为底部失真；对于PNP 管共射放大电路（单级），若发生截止失真，输出电压表现为底部失真；若发生饱和失真，输出电压表现为顶部失真。
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