金鉴实验室双束聚焦离子电镜
ZEISS Auriga Compact
金鉴双束 FIB-SEM制样：
FIB主要用于材料微纳结构的样品制备，包括：TEM样品制备、材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积等。
设备参数：
1.场发射扫描电镜（SEM）：各种材料形貌观察和分析，如金属、半导体、陶瓷、高分子材料、有机聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率1.0nm @ 15kV；1.9 nm @ 1kV；
2.X射线能谱分析仪（EDS）：材料微区成分分析；MnKa峰的半高宽优于127eV；CKa峰的版高宽优于56Ev;FKa峰的半高宽优于64eV；元素Be4-U92；
3.聚焦离子束系统（FIB）：材料微纳结构的样品制备，包括：SEM在线观察下制备TEM样品、材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积等，放大率：300×～500,000×；分辨率2.5nm @ 30kV。
4.背散射电子探头（BSD）：基于不同元素衬度不同，BSD探头除了观察样品形貌衬度，同时能够实现对样品成分衬度的观察。
5.纳米操纵手：用于超薄样品（纳米级）固定转移及精细加工。
6.气相沉积系统（GIS）：FIB加工前为材料提供保护层，或用于材料精加工。
金鉴双束 FIB-SEM制样：
FIB主要用于材料微纳结构的样品制备，包括：TEM样品制备、材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积等。
1.TEM样品制备
对比与传统的电解双喷，离子减薄方式制备TEM样品，FIB可实现快速定点制样，获得高质量TEM样品。
案例一：
使用Dual Beam FIB-SEM系统制备高质量TEM样品。
a、FIB粗加工
b、纳米手转移
c、FIB精细加工完成制样
2.材料微观截面截取
SEM仅能观察材料表面信息，聚焦离子束的加入可以对材料纵向加工观察材料内部形貌，通过对膜层内部厚度监控以及对缺陷失效分析改善产品工艺，从根部解决产品失效问题。
案例二：
针对膜层内部缺陷通过FIB精细加工至缺陷根源处，同时结合前段生产工艺找出缺陷产生点，通过调整工艺解决产品缺陷。
案例三：
产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。
3.气相沉积（GIS）
FIB GIS系统搭载Pt气体，其作用除了对样品表面起到保护作用，还能根据其导电特性对样品进行加工。FIB加工前为材料提供保护层，或用于材料精加工。
案例四：
纳米材料电阻无法直接进行测量，通过FIB GIS系统对其沉积Pt，将其连接到电极上进行四探针法测电阻。
4.三维重构
FIB-SEM三维重构系统是通过FIB连续切出多个截面再通过软件将一系列2D图像转换为3D图像。
金鉴实验室氩离子切割/抛光机
Gatan 685
1.功能：
具备样品切割和抛光两项功能；
配温控液氮冷却台，去除热效应对样品的损伤，有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化；
配碳/铬镀膜，对于同一个样品，可在同一真空环境下完成抛光及镀膜，防止样品氧化，可以用于SEM/FIB导电镀膜样品制作。
2. 原理
氩离子切割技术是一种利用宽离子束（〜1mm）来切割样品，以获得宽阔而精确的电子显微分析区域的样品表面制备技术。一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域，有效的遮蔽了下半部分的离子束，创造出一个侧切割平面，去除样品表面的一层薄膜。
氩离子抛光技术是对样品表面进行抛光，去除损伤层，从而得到高质量样品，用于在 SEM，光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。
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