MMBZ5V6ALT1G是一款双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计，它们适用于电压和ESD敏感设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备和其他应用。它们的双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立的线路，该器件非常适合电路板空间有限的情况。
MMBZ5V6ALT1G详情.jpg
产品特性：
•工作峰值反向电压范围-3 V至26 V
•宽范围齐纳击穿电压
•SOT-23封装允许两个单独的单向配置或单个双向配置
•标准齐纳击穿电压范围-5.6 V至33 V
•峰值功率-24或40瓦@1.0毫秒（单向）
•人体模型的ESD额定值为N级（超过16 kV）
•峰值脉冲电流下的最大箝位电压
•低泄漏
•易燃性等级UL 94V-O机械特性：
•外壳：无空隙、转移模塑、热固性塑料外壳
•饰面：耐腐蚀饰面，易于焊接
•钎焊用途的最高外壳温度：260摄氏度，持续10秒
•为优化自动化电路板组装而设计的封装
•适用于高密度应用的小封装尺寸
•有8毫米胶带和卷轴可供选择
•提供无铅包装
•AEC-Q101合格且具备PPAP能力
•SZ前缀，用于需要唯一站点和控制的汽车和其他应用
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