ESD作为一种客观物理现象，是很难通过绝缘或者其他方式来避免的，因此，常规做法都是添加保护器件，也即无法避免设备接受ESD，但可以选择当ESD发生的时候，设备通过额外的器件来进行保护。

如下图，常规使用的时候，ESD器件彷佛不存在；当ESD发生的时候，ESD保护器件则吸收掉这些能量，从而使得到达设备端的能量在可接受范围内。

作为硬件工程师，当然最先关注的是各种防雷防静电等级，例如IEC61000-4-2等等，根据消费级还是工业级甚至军工级有不同要求。

为了做到ESD器件不影响信号质量，在正常进行信号传输的时候，ESD器件不应当对信号造成太大干扰。 从这点出发，我们需要关注一下几个参数：

1、Vrwm（peak reverse voltage）&Ir(reverse current) Vrwm是反向截止电压，在这一电压之下，反向电流都会小于Ir，因此在这个状态下，Rdyn(动态等效电阻)都会极大，对信号造成的影响较小。

2、根据不同的应用，不同的信号传输频率，需要选择不同Ct值的器件，否则等效电容就会对信号造成影响。针对目前的GHz级别的信号，电容都需要在pF级，过高的容值会增加插入损耗，实际上就是高频信号来回给电容充放电，影响信号完整性。

3、信号极性 这一点常规设计基本不需要考虑，大多数设计都是参考地平面的正电压，但某些交换设备和其他设备，可能有负电压的存在，这时候就需要了解你的信号相对地平面是正还是负，ESD器件需要反接。

4、Vbr(reverse breakdown voltage) Vbr需要比被保护的信号（电源）的最大幅值还要大，这一点很简单，如果Vbr不够大，那正常传输信号的时候就会触发ESD器件动作，本来的高电平都被拉低了。当ESD发生的时候，电压高过Vbr之后，ESD器件就会被反向击穿，快速将能量导到地平面。在这一过程中，Vc是clamp voltage钳位电压，是厂商测试确认的当不同级别ESD发生的时候，ESD器件两端的压差。

5、Rdyn(dynamic resistance) 参考上图，Rdyn是当ESD器件被反向击穿工作的时候，对地电阻。 这一值是越小越好，因为当ESD器件被反向击穿，相当于ESD器件和芯片是并联状态，因此ESD器件的对地电阻越小，它能够吸收的能量越高，相对的芯片端的能量越低，电压越低。

总结

对于ESD器件，主要就是两点。 1. 用不到的时候，尽量别影响信号。所以Vrwm要高于信号电压，Ct要尽可能的小。 2. 用得到的时候，尽力保护芯片。所以Vbr不能太高，Rdyn尽可能的小，Vc也要低。