ESD工作原理

将ESD静电保护二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态(高阻态)，不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时把异常高压钳制在一个安全水平之内，从而保护被保护IC或线路;当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。

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TVS基本参数

V RM （反向截止电压） ：允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。

V BR （击穿电压） ：击穿电压是ESD要开始动作(雪崩击穿)的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。

I RM （反向漏电流） ：在指定的直流电压(一般指不超过最大工作电压)的作用下，流过ESD器件的电流。一般地，TVS管的反向漏电流是nA级，压敏电阻漏电流是μA级，此电流越小，对保护电路影响越小。

I PP （峰值脉冲电流） :ESD产品一般采用8/20us的波形测量。

V C （钳位电压） :ESD器件流过峰值电流时，其两端呈现的电压，超过此电压，可能造成ESD永久性损伤。

Cj（PN结的结电容） :在给定电压、频率条件下测得的值，此值越小，对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体TVS管的结电容(pF级)，压敏电阻的寄生电容(nF级)，另一方面ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大;对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。

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端口的整体解决方案

  • USB3.x/USB4，TB3.0/TB4.0/TB5.0，HDMI2.x，10G以太网

主要产品应用

  • 网络/电视/MNT/NB/MB/STB/移动/TWS/汽车市场。
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