IU5512S 内置功率MOSFET,使用过压、过流、过热、短路等诸多保护电路,在超过控制值时会自动断开,以保护芯片。IU5512S采用了纤小的SOT23-5L封装,最低可达到小于3µA漏电,最适合在移动设备的电源内部使用。
特性
高效率:最大效率可达到95%
最大电流输出能力:1.0A
低功耗,静态电流小于:3μA
工作电压范围:2.0~5.5V
基准电压0.6V
输出纹波:<±0.4%
低压操作,可达100%占空比
当VIN-VOUT(设置)<0.1V以内,进入直通跟随模式
PWM/PFM自动切换占空比自动可调以保持很大负载范围内的高效率,低纹波
符合Rohs标准且无卤素
SOT23-5封装
应用
低功耗摄像头
智能门锁
机器人
玩具