驱动芯片SM7055-12 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成高压启动电路
和高压功率管，可实现低成本、高性价比开关电源系统解决方案。
芯片应用于 BUCK、BUCK-BOOST 系统方案，支持 12V 输出电压，很方便的应用于小家电
产品领域。并提供了过温、过流、过压、欠压等完善的保护功能，保证了系统的可靠性。
通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分，其中一部分为 IS，这部分电流为芯片采样电流
。IS 与 ID 成比例关系：
ID = GID ? IS
通过上图可知：(I S I FB ) ? R2 ? 0.23V
驱动电源管理芯片SM7055-12主要特性:
拓扑结构支持：低成本 BUCK、 BUCK-BOOST 等方案
采用 730V 单芯片集成工艺
85Vac~265Vac 宽电压输入
待机功耗小于 120mW@220Vac
集成高压启动电路
集成高压功率开关
60KHz 固定开关频率
内置抖频技术，提升 EMC 性能
电流模式 PWM 控制方式
内置过温、过流、过压、欠压等保护功能
内置软启动
内置智能软驱动技术（提高
EMC 性能）
封装形式：TO252-2、DIP8
SM7055驱动电源管理芯片应用领域:
电饭煲、电压力锅等小家电产品电源
漏源击穿电压
DRAIN 端关断态漏电流
源漏端导通电阻
HVDD 开启电压
HVDD 关闭电压
HVDD 迟滞阈值电压
HVDD 工作电流
芯片充电电流
从上式可以看出，IFB 电流大，ID 的电流就小；IFB 电流小，ID 的电流就大。当 IFB
的电流大于(0.23V / R2)
时，芯片会关闭 PWM，同时芯片会自动进入突发模式。
注（1）：芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板，铜箔厚度 35um，铜箔连接到所
有的 GND 脚。
上图为典型的 SM7055-12驱动电源管理icBUCK-BOOST 电路，其中 C1、C2、L1 组成π型滤波，有益于改善 EMI 特
性；R1 电阻为浪涌抑制元件；D1 为整流二极管，构成半波整流电路。
当开关电源启动后，C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电
容 C3 充电，当
C3 电容电压达到 11.5V，内部高压启动 MOS 管关闭，同时 PWM 开启，系统开始工作。
当 C3 电容电压下降到 9V 以下，关闭 PWM 信号，同时芯片将会产生复位信号，使系统
重新启动，这就是欠压保护。
IC 的 DRAIN 脚与 GND 及 HVDD 之间需要开槽，以满足安规要求。
初级环路与测试环路的走线距离尽量粗而短，以便更容易通过 EMC 测试。
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