DLLC03CI  3.3V低电容瞬变二极管阵列
双向通道
[size=10.5000pt]1
电压 - 反向关态(典型值)
3.3V
漏电流IR
100nA 典型值,VRWM = 3.3V
电压 - 击穿(下限)
4V IT = 1mA
电压 箝位@ Ipp
16V  IPP = 20A (8 x 20µs pulse)
电流 - 峰值脉冲(10/1000µs)
20A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲
350W
寄生电容
1.2PF VR = 0V, f = 1MHz
不同频率时的电容
4.5pF @ 1MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOD-323
应用
高速通信接口浪涌防护,千兆以太网防雷保护
千兆以太网,USB3.0高速通信端口ESD防护器件
 为高速数据通信提供适当的系统级ESD防护,ESD防护器件(TVS二极管)必须满足不同的要求。可参照IEC61000-4-2标准,根据残留箝位电压和TVS二极管对ESD冲击的响应,判断TVS二极管的ESD防护性能。
我司专为该应用定制了一只反向工作电压为3.3V的TVS二极管(DLLC03CI)。在测试中,IPP为20A(8/20us波形)的浪涌冲击的箝位电压为VC为16V,较低的寄生电容 小于1.PF,极低的漏电(N安级)。较强的静电能力:IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV   IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
这在当今市场上的同类产品中堪称佼佼者。为您解决更严格的测试要求提供适合的的解决方案。
应用:
工业以太网交换机,USB3.0通信端口,安防监控设备,光网EPON和GPON终端
产品封装:SOD-323
最小包装:3000PCS/Reel
供货周期:3周左右
可替代:JEB03C BV03C BV05C LC03CI  GBLC03CI TUSD03FB  ESD03V32D-LC
应能电路参考:
RJ45.png
产品内部结构
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常州鼎先电子有限公司
13775299578邢思前
专业生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array