主要特点

内置 500V 高压 MOSFET

内置高压启动电路

固定 15V 输出非隔离应用

适用于 BUCK，线路简单

半封闭式稳态输出功率 7.5W @230VAC内置频谱扩展技术，改善 EMI

过流保护(OCP)过温保护(OTP)欠压保护

(UVLO)等

封装形式:SOP8

典型应用

小家电

非隔离电源

电池保护板

产品描述

DP3005D 是一款 PWM 和 PFM 混合控制模式的小功率开关芯片，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。内置高压启动模块，实现系统快速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护等

功能描述

DP3005D 是一款 PWM 和 PFM 混合控制模式的小功率开关芯片，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。内置高压启动模块，实现系统快速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护等。

工作原理功能

系统输出通过反馈二极管对 VDD 供电，从而使得 VDD 电压表征输出电压，所以芯片通过 VDD 管脚电压采样从而控制输出电压。VDD 电压经过内部分压电阻分压得到采样电压。当采样电压与内部基准电压经过高精度误差放大器调节出 Ip 峰值电流，从而控制系统功率输出，即系统输出稳定在预设的15V 电压上。

高压启动功能

在启动阶段，内部高压启动管提供启动电流对VDD 电容进行充电;当 VDD 电压达到 VDDON,芯片开始 工作，高压启动管停止对 VDD 电容充电,

启动过程结束后，输出通过隔离二极管对 VDD 电容提供能量，供芯片继续工作。

但当芯片触发保护时，MOS关闭，使得输出无法对 VDD 电容充电，导致 VDD 电压逐步下降，直到低于 UVLO IN 电压，芯片重新启动，芯片异常自恢复的时间通过 VDD 电容调整， VDD 电容越大，自恢复时间越长。

过温保护功能

当内部温度过高，达到 150℃℃ 过温点时，芯片将会关闭输出，以降低系统温度。直到芯片温度降低到过温恢复点，芯片将会重新启动。

软启动功能

为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式，带来较大电流尖峰，芯片设置软启动功能，通过阶梯限制 IP 峰值，从而使电流峰值平稳上升。同时芯片设计较小的 LEB 时间，以降低 LEB 时间内能量大小，避免系统启动时的高电流尖峰

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