霍尔测试简介:霍尔测试是半导体材料表征的重要方法。这种方法是使用磁场将半导体材料内的空穴和电子偏转到测试的两极，外接电流源为材料提供持续的载流子供应，材料两极由于正负载流子逐渐累积，形成电势差，通过测试两极的电势可以得出材料载流子的类型，浓度及迁移率的特性。这种测试方法在半导体材料的电学性能方面有重要作用。这种测试需要电学设备与磁场设备协同工作。
霍尔测试难点:
1.霍尔测试需要施加磁场及电流，同时测量电压;需要及电流源与电压源集于一身的源表模块;
2.加流测压的过程需要排除线缆电阻分压的影响，需要设备具有开尔文结构;
3.当测试高阻材料时，泄漏电流会劣化测量:泄露电流来源于电缆转接头/测试夹具等的绝缘电阻。为了减小泄漏电流需要使用低噪声三同轴线缆;
4.霍尔效应测试需要反转磁场，反转电流方向反复多次测试，所以需要四象限工作能力的源测量单元;
5.霍尔测试需要多个源测量单元协同工作，一体化集成系统能增加测试的便利性:
6.材料的载流子浓度有高有低，需要设备加流测压的精度越高越好范围越大越好。
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