MDD肖特基二极管与快恢复二极管在性能上有什么区别，我们拿反向恢复时间做例子。快恢复二极管PN结呈现正向特性或反向特性取决于结内部的势垒高度，或者说，取决于结内部的载流子分布。因为一定的势垒高度与一定的载流子分布相对应。正偏时，势垒高度很低，结内部的载流子很多，大大地超出平衡值；反偏时，结内部的载流子很少，比平衡值还要低，所以PN结由正偏转向反偏时，就必然存在一个类似电容器放电的过程叫作反向恢复过程。经历这个过程所需的时间就是反向恢复时间trr，显然它与过剩少子寿命长短有关。快速整流管的N区通常都是掺金的，以便使少子寿命降低从而获得较短的反向恢复时间。肖特基二极管SBD的正向电流主要是“热”电子由半导体注入到金属中，少子空穴注入电流是微不足道的一部分。偏压反向后，注入金属的电子原则上也返回到半导体中，但这仍然要求电子保持足以超过势垒的能量。在正向偏压下，在电子偏压作用下注入到金属的电子的能量比金属费米能级高出一个势垒高度，在金属中由于碰撞作用，使这部分能量在极短时间内消失。因此，反向偏压施加后，这些热电子只能在这一数量级的时间内返回到半导体内，所以PN结的少子储存效应在SBD中实际是不存在的，其反向恢复时间主要由外电路决定，而不是由与导电机理有关的内在电子过程决定的。因而SBD的反向恢复时间比PN结要短得多。SBD具有类似PN结的微分电容效应，对反向恢复时间有一定影响。为了降低微分电容，要求SBD有效面积尽可能减小，相应外延层掺杂浓度较低。
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