IPA70R360P7S顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势推荐—全新700V CoolMOS™ P7超结 MOSFET ，拥有超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 。与之前超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择：
效率和热性能
使用方便
电磁干扰行为
IPA70R360P7S特征：
极低 FOM R DS(on) x E oss；更低 Q g、E on 和 E off
高性能技术
低开关损耗 (E oss)
高效率
优异的热性能
支持高速开关
集成保护齐纳二极管
V (GS)th 优化至 3V，±0.5V 窄容差
成熟的产品组合
IPA70R360P7S优势：
成本极具竞争力的技术
与 C6 技术相比，效率增益高达 2.4%，器件温度低 12K
更高开关速度实现更高效率增益
更低的 BOM 成本缩减磁性元件尺寸
高 ESD 稳健性，达到 HBM 2 级水平
轻松驱动和设计导入
支持更小的外形规格和更高的功率密度设计
优良产品的最佳选择
产品运用领域：
充电器
适配器
电视
照面
音频
辅助电源
有需要的宝宝可以找我申样，深力科电子 Mobile：13723773226
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