氩离子切割技术是一种利用宽离子束（〜1mm）来切割样品，以获得宽阔而精确的电子显微分析区域的样品表面制备技术。
机械研磨抛光 VS 离子束抛光
§有限的硬，固体样品 §适合各类样品
o硬度较大金属材料 o软硬金属材料皆可
o硅和玻璃 o同一样品含软硬不同材料
o半导体（铝/宽/高k电介质 o多孔材料
o矿物质（干） o湿或油性样品：油页岩
o有机物
§操作者需要有周期性改变抛光液粒径 §使用时不需操作者盯着
Al 6061 Alloy 电解抛光vs PECS II
电解抛光：
利用平面离子研磨功能可以实现对样品表面的清洁
技术优势
1.两支聚焦离子枪，离子枪无任何耗材
2.多功能：离子束平面+截面抛光+高精度镀膜
3.抛光镀膜在同一真空系统，抛光完成可直接镀膜处理
4.抛光区域：~10mm以上
5.全自动触屏控制，配方式操作，制样重复性高
6.标配液氮冷台，去除热效应对样品的损伤
7.可选配真空转移系统
PECS II 刻蚀抛光样品台
全新触屏控制系统
触屏菜单截图
镀膜选项页面
靶材选择：可同时放入两种靶材
抛光功能页面
液氮冷台及控温系统
液氮冷台
平面抛光装样系统
平面抛光装样操作
横截面抛光装样器
平面刻蚀抛光示意图–上视
截面刻蚀抛光示意图
3D EBSD with PECSII
140x120x4 microns3
3D EBSD with PECSII
抛光区域大小
离子溅射
离子束镀膜
Ion Beam Cr Coating Magnetron Cr Coating
Ion Beam Coating
XTEM of multilayers of Cr/C on a Si substrate produced by IBC
HTEM image of a cross section through different coating layers (IBC) on Si substrate.
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