图1所示电路为一个双稳压器电路，它可以将一个3.3V的输入电压变换成一个3.3V和一个5V的两路稳压输出，也可以将一个5V的输入电压变换成一个5V和一个3.3V的两路稳压输出，具有很好的实际使用意义。
该电路由两部分组成：一部分是一个直流/直流变换器，另一部分是一个电子式双置双掷开关。双置双掷开关由一对双N沟道MOSFET Q2和Q3以及它们相关的高边驱动器IC1组成。
加上电源后，IC2中的比较器决定该电路的工作状态。比较器的输出即IC2的6脚送到MOSFET驱动器IC1的输入端，该驱动器内部产生一个该器件电源电压之上的8.8V闸门驱动电压，这个高压驱动Q2和Q3中相应的MOSFET。
IC2也是一个快速电容器、降压/升压直流/直流变换器的心脏部分，与其它开关稳压器结构不同，这种拓扑不需要变压器。晶体管Q1控制该部分的输出电压VS。当VIN为5V时，Q1截止，迫使该部分作为一个步进降压变换器工作。在这种方式下，该部分产生3.3V的电压，通过Q3B送到输出。也是在这种方式下，5V电源直接通过Q2A送到输出，而Q2B和Q3A两者截止。
当VIN为3.3V时，IC1使Q1导通，短路输出140kΩ电阻，迫使直流/直流变换器部分进入步进升压方式。在该方式中变换器部分在VS产生5V电压，经过Q2B提供5V的输出电压。也是在这种方式下，3.3V的电压经过Q3A直接从电路的输入送到输出，而Q2A和Q3B两者截止。
该电路无负载静态电流消耗大约为500μA,低频变换器在以大电感为代价的情况下将减少功率消耗，直流/直流变换器部分的效率在任何一种方式为73%。但是因为该电路电源只考虑一半的电路输出功率，它的综合效率在VIN等于3.3V时大约为80%，在VIN等于5V时大约为86%。
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