场效应管电机驱动-MOS 管 H 桥原理

H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的 H 桥电路，它由 2 个
P 型场效应管 Q1、Q2 与 2 个 N 型场效应管 Q3、Q4 组成，所以它叫 P-NMOS 管 H桥。
桥臂上的 4 个场效应管相当于四个开关，

P 型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；

N 型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。

场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。
正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂 1 置高电平（U=VCC）、控制臂 2 置低电平（U=0）时，Q1、Q4 关闭，Q2、Q3 导通，电机左端低电平，右端高电平，所以电流沿箭头方向流动。设为电机正转。



0 上面的P管通   1 下面的N管通

此电路的一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H桥都不会出现“共态导通”（短路）

另外还有4个N型场管的H桥，内阻更小，有“共态导通”现象。栅极驱动电路复杂，或用专用驱动芯片MC33833，

因为单片机的输出电压为5V  ，而H桥的控制臂需要的电压为0V或 7.2V ，电压才能使场管完全导通，PWM输出0V或5V时，栅极驱动电路才输出0V  或7.2V，前提是CD4011的电源为7.2V。CD4011 仅做电压放大用。之所以用两级与非门是为了与MC33886 兼容