安森美深力科FDD390N15ALZ 一款N沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
特性:
RDS(on) = 33.4mΩ(典型值)@ VGS = 10V, ID = 26A
RDS(on) = 42.2mΩ ( Typ.)@ VGS = 4.5V, ID = 20A
快速开关速度
低栅极电荷,QG = 17.6nC(典型值)@ VGS = 10V
高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 RoHS 标准
应用领域:
LED电视
同步整流
不间断电源
微型太阳能逆变器
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