近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为 迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各 种电机和基站、服务器 等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET 被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一 方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主 要参 数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺 寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼 顾这两项参 数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连 接、改进栅极结构等措施，改善了 两者之间的权衡关系， 新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻 值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装， 实现了仅2.1mQ 的业界超低导通电阻(Ron）*2，相比以往产品， 导通电阻降 低了50% 。另外， 通过改 进栅极结构， Qgd*3 （栅-漏电 荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比以往产品减少了 约40% (Ron和 Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的 比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种 应 用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上 比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出 电流范围内，实 现了业界超高的电源效率(峰值时高达约95%)。
新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产 。另外， 新产品也已开始电商销售，从 Oneyac 电商平台均可 购买。 未来，ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET，通过助力 各种设备降低功耗和更加节能，为环境 保护等社会问题贡献 力量。
<应用示例> ◆通信基站和服务器用的电源 ◆工业和消费电子产品用的电机 以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。 <术语解说> *1）Nch MOSFET 通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。 与Pch MOSFET相比， 由于Nch MOSFET具有更低的导通电 阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性， 因而目前在市场 上更受欢迎。 *2）导通电阻(Ron) MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时 的功率损耗越少。 *3）Qgd (栅-漏电荷) MOSFET开始导通后， 栅极和漏极间的电容充电期间的电荷 量。该值越小， 开关速度越快， 开关时的损耗（功率损耗)越 小。
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