半导体晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。
结构特点：集电极和发射极不可以互换.
2、 晶体管的电流放大原理
1） 晶体管放大的外部条件
发射结正偏、集电结反偏。
结论:
把基极电流IB的微小变化能够引起集电极电流IC较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。
3）晶体管内部载流子的运动
各电流关系：
放大状态下BJT的工作原理：
综上所述，晶体管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。
实现这一传输过程的两个条件是：
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
3 、晶体管的共射特性曲线
即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。
为什么要研究特性曲线：
1）直观地分析管子的工作状态；
2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路。
重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线。
测量晶体管特性的实验线路：
1）输入特性
特点：非线性
输入特性曲线的三个部分：
2）输出特性
输出特性曲线通常分三个工作区：
输出特性三个区域的特点：
4、 晶体管的主要参数
晶体管的参数是设计电路、选用晶体管的依据。
注意一些极限参数：
5、放大电路概述
放大：指将电信号由小变大
放大电路是电子设备中最基本的组成部分。
基本放大电路:
由一个放大管构成的简单放大电路，又称单管放大电路。
放大电路一定要有前级（信号源）为其提供信号，那么就要从信号源取电流。输入电阻是衡量放大电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大，从其前级取得的电流越小，对前级的影响越小。
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